Palladium 1.3W du transistor MOSFET SOT23-3 IRLML6401TRPBF de la Manche d'IRLML6401 N
Number modèle:IRLML6401TRPBF
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NOUVEAU ET ORIGINAL transistor MOSFET SOT23-3 IRLML6401TRPBF du N-canal IRLML6401
Produits Description :
Transistor MOSFET ; Puissance ; P-ch ; VDSS -12V ; Le RDS (DESSUS) 0.05Ohm ; Identification -4.3A ; Micro3 ; Palladium 1.3W ; VGS +/-8V
Transistor MOSFET P-CH 12V 4.3A 3-Pin T/R micro de transport
Transistor : P-MOSFET ; unipolaire ; niveau de logique ; -12V ;
-4.3A ; 1.3W
Ces transistors MOSFET de P-canal de redresseur international
utilisent des techniques advancedprocessing pour réaliser
extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium. Cet
avantage, combiné avec la vitesse de changement rapide et le
devicedesign robuste que les transistors MOSFET de puissance de
HEXFET® sont bien connus pour, fournit au thedesigner un dispositif
extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans la gestion
d'andload de batterie. Un grand leadframe thermiquement augmenté de
protection a été incorporé au paquet du thestandard SOT-23 pour
produire un transistor MOSFET de puissance de HEXFET avec la plus
petite empreinte de pas des theindustry. Ce paquet, a doublé le
Micro3™, est des forapplications idéaux où électronique la carte
que l'espace est une prime. Le profil bas (<1>
Paramètres technologiques :
| Tension de seuil | 550 système mv |
| capacité d'entrée | 830 PF |
| Puissance évaluée | 1,3 W |
| polarité | P-canal |
| Méthode d'installation | Bti extérieur |
| numéro de borne | 3 |
| paquet | SOT-23-3 |
| Température de fonctionnement | -55℃ | 150℃ (TJ) |
| Emballage | Bande et bobine (TR) |
| Applications de fabrication | Commutateurs de C.C |
Palladium 1.3W du transistor MOSFET SOT23-3 IRLML6401TRPBF de la Manche d'IRLML6401 N
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