NX7002AK, 215 1 transistor MOSFET 60V 190mA SMD/SMT simples de fossé de la Manche de N

Number modèle:NX7002AK, 215
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Capacité d'approvisionnement:10000 PCs par mois
Délai de livraison:jours 1-7Work
Détails de empaquetage:original
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Shenzhen Guangdong China
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NX7002AK, transistor MOSFET 60V 190mA SMD/SMT simple de fossé du N-canal 215 SOT-23-3 1

Produits Description :

Le NX7002AK est un transistor d'effet de champ de mode d'amélioration de N-canal (FET) dans un paquet en plastique monté extérieur du dispositif (SMD) utilisant la technologie de transistor MOSFET de fossé.

Commutation rapide même

Protection d'ESD 1.5kV

Transistor MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB

Transistor MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB T/R de transport

Ultra-rapide circuits de changement conducteur de relais de loadswitch du côté bas de module de commande de ligne

Paramètres technologiques :

résistance de Drain-source3 Ω
Puissance dispersée0,325 W
tension de seuil1,6 V
capacité d'entrée15 PF
Tension de Drain-source (Vds)60 V
Capacité d'entrée (Ciss)17pF @10V (Vds)
Puissance évaluée (maximum)265 mW
Puissance dispersée (maximum)265mW (merci), 1.33W (comité technique)
Méthode d'installationBti extérieur
Nombre de goupilles3
paquetSOT-23-3
Température de fonctionnement-55℃ | 150℃ (TJ)
EmballageBande et bobine (TR)
Applications de fabricationAudio, gestion de puissance
Norme de RoHSRoHS conforme

China NX7002AK, 215 1 transistor MOSFET 60V 190mA SMD/SMT simples de fossé de la Manche de N supplier

NX7002AK, 215 1 transistor MOSFET 60V 190mA SMD/SMT simples de fossé de la Manche de N

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