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NX7002AK, transistor MOSFET 60V 190mA SMD/SMT simple de fossé du N-canal 215 SOT-23-3 1
Produits Description :
Le NX7002AK est un transistor d'effet de champ de mode d'amélioration de N-canal (FET) dans un paquet en plastique monté extérieur du dispositif (SMD) utilisant la technologie de transistor MOSFET de fossé.
Commutation rapide même
Protection d'ESD 1.5kV
Transistor MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Transistor MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB T/R de transport
Ultra-rapide circuits de changement conducteur de relais de loadswitch du côté bas de module de commande de ligne
Paramètres technologiques :
résistance de Drain-source | 3 Ω |
Puissance dispersée | 0,325 W |
tension de seuil | 1,6 V |
capacité d'entrée | 15 PF |
Tension de Drain-source (Vds) | 60 V |
Capacité d'entrée (Ciss) | 17pF @10V (Vds) |
Puissance évaluée (maximum) | 265 mW |
Puissance dispersée (maximum) | 265mW (merci), 1.33W (comité technique) |
Méthode d'installation | Bti extérieur |
Nombre de goupilles | 3 |
paquet | SOT-23-3 |
Température de fonctionnement | -55℃ | 150℃ (TJ) |
Emballage | Bande et bobine (TR) |
Applications de fabrication | Audio, gestion de puissance |
Norme de RoHS | RoHS conforme |