TB de disque transistorisé Samsung PM1735 3,2 de disque dur interne de PCI Express 4,0 X8 V5

Number modèle:MZPLJ3T2HBJR-00007 TB PM1735 3,2
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MZPLJ3T2HBJR-00007 pour le disque transistorisé semi-conducteur interne de serveur d'entraînement d'entreprise de Samsung PM1735 3.2TB PCI Express 4,0 X8 V5

PM1733/PM1735

 

NVMe™ de Haut-exécution d'aujourd'hui SSDs

La GEN 4 de PCIe® de Samsung a permis le disque transistorisé PM1733 aura pour doubler les capacités de sortie de la GEN actuelle 3 SSDs, lui donnant la plus haute performance de n'importe quel disque transistorisé sur le marché aujourd'hui. Les deux séries de disque transistorisé de NVMe™ venues dans deux facteurs de forme, 2,5 pouces et HHHL, avec des capacités s'étendant de 0.8TB 30.72TB pour adapter aux besoins divers des OEM dans le monde entier. Les commandes s'assurent également que la résistance de la commande une ou trois écrit par jour (DWPD) sur une période de cinq ans.

 
 

Spécifications techniques

Numéro de la pièceModèleInterfaceF/FCapacitéLecture séquentielleSéquentiel écrivezLecture aléatoireAléatoire écrivez
MZPLJ12THALA-00007PM1735PCIe® Gen4 x8HHHLTB 12,88000 MB/s3800 MB/sIOP 1500KIOP 250K
MZPLJ1T6HBJR-00007PM1735PCIe® Gen4 x8HHHL1,6 TB7000 MB/s2400 MB/sIOP 1000KIOP 200K
MZPLJ3T2HBJR-00007PM1735PCIe® Gen4 x8HHHL3,2 TB8000 MB/s3800 MB/sIOP 1500KIOP 250K
MZPLJ6T4HALA-00007PM1735PCIe® Gen4 x8HHHL6,4 TB8000 MB/s3800 MB/sIOP 1500KIOP 250K
MZWLJ15THALA-00007PM1733PCIe® Gen4 x4/x2 double accès2,5 pouces15,36 TB7000 MB/s3800 MB/sIOP 1450KIOP 135K
MZWLJ1T9HBJR-00007PM1733PCIe® Gen4 x4/x2 double accès2,5 poucesTB 1,927000 MB/s2400 MB/sIOP 800KIOP 100K
MZWLJ3T8HBLS-00007PM1733PCIe® Gen4 x4/x2 double accès2,5 pouces3,84 TB7000 MB/s3800 MB/sIOP 1500KIOP 135K
MZWLJ7T6HALA-00007PM1733PCIe® Gen4 x4/x2 double accès2,5 pouces7,68 TB7000 MB/s3800 MB/sIOP 1450KIOP 135K

 

 

 
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TB de disque transistorisé Samsung PM1735 3,2 de disque dur interne de PCI Express 4,0 X8 V5

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