Capteur réfléchi de capteur photoélectrique infrarouge ultra-violet de S1336-5BQ
Number modèle:S1336-5BQ
Point d'origine:Le Japon
Quantité d'ordre minimum:1
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Capacité d'approvisionnement:911/pcs/pre
Délai de livraison:jours 3-5work
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Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Chambre 3306AB 33ème étage, SEG Plaza, rue Huaqiang Nord, district de Futian, province de Shenzhen Guangdong 518028
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Détails du produit
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Description de produit :
Des photodiodes de silicium de S1336-5BQ sont utilisées pour la détermination photométrique précise partir de l'ultraviolet pour s'approcher de l'infrarouge
Caractéristiques :
Approprié la détermination photométrique précise partir de l'ultraviolet pour s'approcher de l'infrarouge
caractéristiques
●Sensibilité élevée dans la bande ultra-violette
Basse basse capacité
●Fiabilité élevée
Temps de montée (valeur typique). 0,2 u s
Capacité de jonction (valeur typique) 65 PF
℃ de l'état Ta=25 de mesure, type., sauf indication contraire, photosensibilité : λ=960 nanomètre, courant d'obscurité : VR=10 système mv, temps de montée : VR=0 V, capacité terminale : VR=0 V, f=10 kilohertz
Caractéristiques :
| Tension inverse (maximum) | 5V |
| la gamme de réponse spectrale est | 190 1100 nanomètre |
| Longueur d'onde maximale de sensibilité (valeur typique) | 960 nanomètre |
| Sensibilité (valeur typique) | 0,5 A/W |
| Courant d'obscurité (maximum) | PA 30 |
Capteur réfléchi de capteur photoélectrique infrarouge ultra-violet de S1336-5BQ
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