S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm
Number modèle:S12053-02
Point d'origine:Le Japon
Quantité d'ordre minimum:1
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Capacité à fournir:1000 pièces par mois
Délai de livraison:jours 3-5work
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Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Chambre 3306AB 33ème étage, SEG Plaza, rue Huaqiang Nord, district de Futian, province de Shenzhen Guangdong 518028
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dans 26 heures
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Description du produit:
S12053-02 Photodiode avalanche de silicium courte longueur d'onde pour bande de 600 nm
Caractéristiques:
APD de type ondes courtes
Il a une sensibilité élevée et un faible bruit dans la bande ultraviolette visible
Coefficient de température de la tension de rupture (valeur typique) 0,14 V/°C
Gain (valeur typique) 50
Condition d'essai Typ.TA =25°C, Sauf indication contraire, Photosensibilité: λ=620 nm, M=1
Les spécifications:
| La sensibilité (valeur typique) a été | 0.42 A/W |
| Courant sombre (maximum) | 5 nA |
| Fréquence de coupe (valeur typique) | 900 MHz |
| Capacité de jonction (valeur typique) | 2 pF |
| Voltage de rupture (valeur typique) | Pour les appareils électriques |
S12053-02 Photodiode à avalanche de silicium à courte longueur d'onde pour bande de 600 nm
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