détection UV GS-ABC-5050XLQ de gaz de capteur de la photodiode 4mm2 basée sur GaN
Number modèle:GS-ABC-5050XLQ
Lieu d'origine:Chine
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Capacité d'approvisionnement:10000 pièces/mois
Délai de livraison:3-5 jours de travail
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Chambre 3306AB 33ème étage, SEG Plaza, rue Huaqiang Nord, district de Futian, province de Shenzhen Guangdong 518028
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Détails du produit
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Détails du produit
Description de produit :
Photodiode UV basée sur GaN de GS-ABC-5050XLQ
Caractéristiques :
l photodiode d'UVA+UVB+UVC
l opération photovoltaïque de mode
l paquet en céramique de SMD 5050 avec la fenêtre de quartz
l bonne cécité évidente
l responsivity de haut et bas courant d'obscurité
Applications : Surveillance UV d'index, mesure UV de dose de rayonnement, caractéristiques de détection de flamme : Estimations maximum d'unité de valeur de symbole de paramètres
Température ambiante d'opération Topt -25-85 OC
Température ambiante de température de stockage Tsto -40-85 OC
La température de soudure (3 s) Tsol 260 OC
Tension inverse -10 V Vr-maximum
Courant mm2 d'obscurité général de la taille A 4 de puce des caractéristiques (25 OC) (Vr = V) identification -1
<1 nA="" Temperature="" coefficient="">
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Caractéristiques :
| Longueur d'onde de responsivisity maximal | λ p 355 nanomètre |
| Responsivisity maximal ( 385 nanomètre) | Rmax 0,20 A/W |
| Gamme de réponse spectrale (R=0.1×Rmax) | 210-370 nanomètre |
| rapport de rejet UV-évident (Rmax/R450 nanomètre) | - >10 - |
détection UV GS-ABC-5050XLQ de gaz de capteur de la photodiode 4mm2 basée sur GaN
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