Fonctionnement en mode photovoltaïque basé sur une photodiode UV GT-UVV-LW InGaN
Number modèle:GT-UVV-LW
lieu d'origine:Chine
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Capacité à fournir:2000 pièces/mois
Délai de livraison:jours 3-5work
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Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Chambre 3306AB 33ème étage, SEG Plaza, rue Huaqiang Nord, district de Futian, province de Shenzhen Guangdong 518028
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Description du produit:
Fonctionnement en mode photovoltaïque basé sur une photodiode UV GT-UVV-LW InGaN
Caractéristiques:
Caractéristiques générales: l Matériau base de nitrure d'indium et de gallium
L Opération en mode photovoltaïque
L TO-46 boîtier métallique
L Haute réactivité et faible courant sombre
Applications: surveillance par LED UV, mesure des doses de rayonnement UV, durcissement par UV
Paramètres Valeur du symbole Unité
Plage de température de fonctionnement Topt -25 85 oC
Plage de température de stockage Tto -40-85 oC
Température de soudure (3 s) Tsol 260 oC
Voltage inverse Vr-max -10 V
Caractéristiques générales (25 oC) Taille de la puce A 1 mm2 Courant sombre (Vr = -1 V) Id
< 1 nA Coefficient de température Tc 0,05 %/ oC Capacité ( 0 V et 1 MHz) Cp 60 p>
Les spécifications:
| Les spécifications | Paramètres |
| Longueur d'onde maximale | 390 nm |
| Sensitivité la lumière | 0.289A/W |
| La fréquence de réponse spectrale (R=0,1 × Rmax) | - 290 440 nm |
| Ratio de rejet UV visible (Rmax/R400 nm) | - > 10 |
Fonctionnement en mode photovoltaïque basé sur une photodiode UV GT-UVV-LW InGaN
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