Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement
Number modèle:GS-UVV-3535LCW
Point d'origine:La Chine
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Capacité à fournir:2000 pièces/mois
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Shenzhen Guangdong China
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Chambre 3306AB 33ème étage, SEG Plaza, rue Huaqiang Nord, district de Futian, province de Shenzhen Guangdong 518028
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Description du produit:
Détecteur de photodiodes UV base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement
Caractéristiques:
Caractéristiques générales:
Matériau base de nitrure d'indium et de gallium
L Opération en mode photovoltaïque
L'emballage en céramique SMD 3535 avec fenêtre en quartz
L Haute réactivité et faible courant sombre
Applications: surveillance par LED UV, mesure des doses de rayonnement UV, durcissement par UV
Paramètres Valeur du symbole Unité
Plage de température de fonctionnement Topt -25 85 oC
Plage de température de stockage Tto -40-85 oC
Température de soudure (3 s) Tsol 260 oC
Voltage inverse Vr-max -10 V
Caractéristiques générales (25 oC) Taille de la puce A 1 mm2 Courant sombre (Vr = -1 V) Id <1 nA Coefficient de température Tc 0,05 %/ oC Capacitation ( 0 V et 1 MHz) Cp 60 pF> <1 nA Coefficient de température Tc 0.065 %/ oC Capacité ( 0 V et 1 MHz) Cp 1.7 pF>
< 1 nA Coefficient de température (@ 265 nm) Tc 0,05 %/ oC Capacité ( 0 V et 1 MHz) Cp 18 p>
Les spécifications:
| Longueur d'onde du pic de réactivité | λ p 390 nm |
| Réactivité maximale ( 385 nm) | Rmax 0,289 A/W |
| La fréquence de réponse spectrale (R=0,1 × Rmax) | 290 440 nm |
| Ratio de rejet UV visible (Rmax/R450 nm) | - > 10 - |
Détecteur de photodiodes UV à base d'InGaN GS-UVV-3535LCW Mesure du rayonnement de durcissement
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