Détecteur UV basé sur InGaN de capteur de photodiode traitant la mesure GS-UVV-3535LCW de rayonnement
Number modèle:GS-UVV-3535LCW
Point d'origine:La Chine
Quantité d'ordre minimum:5
Conditions de paiement:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:1501/pcs/pre
Délai de livraison:jours 3-5work
Contacter
Add to Cart
Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Chambre 3306AB 33ème étage, SEG Plaza, rue Huaqiang Nord, district de Futian, province de Shenzhen Guangdong 518028
dernière connexion fois fournisseur:
dans 26 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Description de produit :
Traitement UV de la photodiode LED de GS-UVV-3535LCW de surveillance de rayonnement de mesure UV UV UV basée sur InGaN de dose
Caractéristiques :
Caractéristiques générales :
l nitrure de gallium d'indium la matière première
l opération photovoltaïque de mode
l paquet en céramique de SMD 3535 avec la fenêtre de quartz
l responsivity de haut et bas courant d'obscurité
Applications : Surveillance UV de LED, mesure UV de dose de rayonnement, traitement UV
Estimations maximum d'unité de valeur de symbole de paramètres
Température ambiante d'opération Topt -25-85 OC
Température ambiante de température de stockage Tsto -40-85 OC
La température de soudure (3 s) Tsol 260 OC
Tension inverse -10 V Vr-maximum
Courant mm2 d'obscurité général de la taille A 1 de puce des caractéristiques (25 OC) (Vr = V) identification -1 <1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0=""> <1 nA="" Temperature="" coefficient="" Tc="" 0="">
<1 nA="" Temperature="" coefficient="">
Caractéristiques :
| Longueur d'onde de responsivisity maximal | λ p 390 nanomètre |
| Responsivisity maximal ( 385 nanomètre) | Rmax 0,289 A/W |
| Gamme de réponse spectrale (R=0.1×Rmax) | 290-440 nanomètre |
| rapport de rejet UV-évident (Rmax/R450 nanomètre) | - >10 - |
Détecteur UV basé sur InGaN de capteur de photodiode traitant la mesure GS-UVV-3535LCW de rayonnement
Inquiry Cart
0