Le silicium S16765 01MS Infrared Photoelectric Sensor remplacent S1133

Number modèle:S16765-01MS
Point d'origine:Le Japon
Quantité d'ordre minimum:5
Conditions de paiement:L/C, D/A, D/P, T/T, Western Union, MoneyGram
Capacité d'approvisionnement:1501/pcs/pre
Détails de empaquetage:Tubes de
Contacter

Add to Cart

Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
Adresse: Chambre 3306AB 33ème étage, SEG Plaza, rue Huaqiang Nord, district de Futian, province de Shenzhen Guangdong 518028
dernière connexion fois fournisseur: dans 26 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

Le silicium S16765 01MS Infrared Photoelectric Sensor remplacent S1133


La cellule photo-électrique S16765-01MS de silicium de PIN de photodiode peut complètement remplacer S1133


Caractéristiques :

Cellule photo-électrique photosensible de silicium de photodiode de Hamamatsu

Haute performance, hautes photodiodes de PIN de la fiabilité SI

Haute performance, haute photodiode de PIN de silicium de fiabilité

Valeur de nom de paramètre

En céramique encapsulé

Diamètre de zone/longueur sensibles millimètre 2,8

La longueur d'onde minimum est 320 nanomètre

La longueur d'onde maximum est 730 nanomètre

La longueur d'onde maximale est 560 nanomètre

Sensibilité maximale A/W 0,3

Courant d'obscurité maximum (Na) 0,01

Rsh Ω (G) 100

TR (US) 2,5

CT (PF) 700

Une partie du détecteur photoélectrique couvre les photodiodes, les diodes avalanche, et les tubes photomultiplicateurs communs qui forment des rayons X la lumière ultra-violette et visible

, près de l'infrarouge, jusqu' 3000nm dans la bande infrarouge moyenne ; La forme de paquet partir de Chip Level aux composants nivellent, module

Niveau de diverses diodes lasers de semi-conducteur

Ventes professionnelles des dispositifs optoélectroniques du Japon Hamamatsu, réception optique, photodiode de silicium, composants optiques photoélectriques de détection de dispositifs de détection


Caractéristiques :

La température de soudure260℃
Puissance de source lumineuse² de 0.1u~100mW/cm
Gamme spectrale de détection25℃, 10% de R
Tension inverse3V

China Le silicium S16765 01MS Infrared Photoelectric Sensor remplacent S1133 supplier

Le silicium S16765 01MS Infrared Photoelectric Sensor remplacent S1133

Inquiry Cart 0