La photodiode de silicium YJJ S1227-1010BQ est adaptée à la suppression photométrique de précision de la sensibilité infrarouge dans la bande ultraviolette à visible
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Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Chambre 3306AB 33ème étage, SEG Plaza, rue Huaqiang Nord, district de Futian, province de Shenzhen Guangdong 518028
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Description du produit:
S1227-1010BQ La photodiode de silicium convient la suppression photométrique de précision de la sensibilité infrarouge dans la bande ultraviolette la bande visible
Caractéristiques:
Paramètre détaillé
Surface réceptrice 10 × 10 mm
Ceramiques encapsulées
Catégorie de colis --
Type de réfrigérateur non refroidi
Voltage inverse (max.) 5 V
Plage de réponse spectrale de 190 1000 nm
Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) 720 nm
Photosensibilité (valeur typique) 0,36A/W
courant sombre (max.) 50 pA
Temps de montée (valeur typique) 7 μs
Capacité de jonction (valeur typique) 3000 pF
Puissance équivalente bruit (valeur typique) 8,0×10-15 W/Hz1/2
Valeur typique des conditions de mesure Ta=25°C, photosensibilité: λ = 720 nm, courant sombre: VR = 10 mV, capacité de jonction: VR = 0 V, f = 10 kHz, sauf indication contraire
Les spécifications:
| Plage de réponse spectrale | 190 1100 nm |
| Longueur d'onde de sensibilité maximale (valeur typique) | 960 nm |
| Photosensibilité (valeur typique) | 0.5A /W |
| Courant sombre (max.) | 20 pA |
La photodiode de silicium YJJ S1227-1010BQ est adaptée à la suppression photométrique de précision de la sensibilité infrarouge dans la bande ultraviolette à visible
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