Photodiode à broche de silicium S2386-44K S2386-5K S2386-45K S2386-8K S2386-18K Haute sensibilité dans la bande proche infrarouge
Numéro de modèle:S2386-5K S2386-45K S2386-8K S2386-18K
Lieu d'origine:Le Japon
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Shenzhen Guangdong China
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Chambre 3306AB 33ème étage, SEG Plaza, rue Huaqiang Nord, district de Futian, province de Shenzhen Guangdong 518028
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Photodiode broche de silicium S2386-44K S2386-5K S2386-45K S2386-8K S2683-18K Haute sensibilité dans la bande proche infrarouge
Les photodiodes de silicium S2386-44K
Convient pour photomètre universel visible proche infrarouge
Caractéristiques
- Haute sensibilité dans la bande proche infrarouge
- Faible courant sombre.
- Haute fiabilité
- Une excellente linéarité.
| Courant sombre (maximum) | 20 pA |
| Temps de montée (typique) | 3.6 μs |
| Capacité de jonction (typique) | 1600 pF |
| Puissance équivalente bruit (typique) | 1.4 × 10- 15 ans.W/Hz- Un demi |
Les photodiodes de silicium S2386-5K
Convient pour photomètre universel visible proche infrarouge
Caractéristiques
- Haute sensibilité dans la bande proche infrarouge
- Faible courant sombre.
- Haute fiabilité
- Une excellente linéarité.
| Côté récepteur de lumière | 2.4 × 2,4 mm |
| encapsulation | métal |
| Catégorie du colis | Pour TO-5 |
| réfrigération | D'une teneur en poids en poids inférieur ou égal 250 g/m2 |
| Voltage inverse (maximum) | 30 V |
| Plage de réponse spectrale | 320 1100 nm |
Les photodiodes de silicium S2386-45K
Convient pour photomètre universel visible proche infrarouge
Caractéristiques
- Haute sensibilité dans la bande proche infrarouge
- Faible courant sombre.
- Haute fiabilité
- Une excellente linéarité.
| Côté récepteur de lumière | 3.9 × 4,6 mm |
| encapsulation | métal |
| Courant sombre (maximum) | 30 pA |
| Temps de montée (typique) | 5.5 μs |
| Capacité de jonction (typique) | 2300 pF ou plus |
| Puissance équivalente bruit (typique) | 1.4 × 10- 15 ans.W/Hz- Un demi |
Les photodiodes de silicium S2386-8K
Convient pour photomètre universel visible proche infrarouge
Caractéristiques
- Haute sensibilité dans la bande proche infrarouge
- Faible courant sombre.
- Haute fiabilité
- Une excellente linéarité.
| Côté récepteur de lumière | 5.8 × 5,8 mm |
| encapsulation | métal |
| Catégorie du colis | TO-8 |
| Voltage inverse (maximum) | 30 V |
| Plage de réponse spectrale | 320 1100 nm |
| Courant sombre (maximum) | 50 pA |
Les photodiodes de silicium S2386-18K
Convient pour photomètre universel visible proche infrarouge
Caractéristiques
- Haute sensibilité dans la bande proche infrarouge
- Faible courant sombre.
- Haute fiabilité
- Une excellente linéarité.
| Côté récepteur de lumière | 1.1 × 1,1 mm |
| encapsulation | métal |
| Catégorie du colis | TO-18 |
| Voltage inverse (maximum) | 30 V |
| Plage de réponse spectrale | 320 1100 nm |
| Courant sombre (maximum) | 2 pA |
Photodiode à broche de silicium S2386-44K S2386-5K S2386-45K S2386-8K S2386-18K Haute sensibilité dans la bande proche infrarouge
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