Photodiode PN silicium planaire BPW21R, faible courant d'obscurité, boîtier TO-5
Numéro de modèle:Le groupe BPW21R
Lieu d'origine:USA
Quantité de commande minimale:1
Conditions de paiement:L / C, D / A, D / P, T / T, Western Union, Moneygram
Délai de livraison:3-5 jours de travail
Détails d'emballage:Boîte standard
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen Guangdong China
Adresse:
Chambre 3306AB 33ème étage, SEG Plaza, rue Huaqiang Nord, district de Futian, province de Shenzhen Guangdong 518028
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dans 26 heures
Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
BPW21R Photodiode PN au silicium plané faible courant sombre TO-5
Caractéristiques
• Type d'emballage: au plomb
• Formulaire de colis: TO-5
• Dimensions (en mm): Ø 8.13
• Zone sensible au rayonnement (en mm2): 7.5
• Une très grande sensibilité photographique
• Adapté la réactivité de l'il
• Angle de demi-sensibilité: φ = ± 50°
• Emballage hermétiquement scellé
• Cathode connectée au colis
• Vitre plat
• Faible courant sombre
• Résistance élevée au shunt
• Une grande linéarité
• Conforme la directive RoHS 2002/95/CE et
conformément aux RAEE 2002/96/CE
Applications
• Capteur des fins d'exposition et de mesure des couleurs
Les spécifications:
| Voltage avant | 10,0-1,3 V |
| Voltage de rupture | 10 V |
| Courant sombre inverse | 2 30 nA |
| Capacité de diode | 1.2nF |
| La résistance noire | 38GΩ |
Photodiode PN silicium planaire BPW21R, faible courant d'obscurité, boîtier TO-5
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