Transistor MOSFET discret N-CH 600V 17A TO-220FP de semi-conducteur de STF24NM60N
Number modèle:STF24NM60N
Conditions de paiement:D/A, T/T, Western Union
Délai de livraison:1-2 jours ouvrables
Détails de empaquetage:Bande et bobine (TR)
Tension drain à source (Vdss):600V
Dissipation de puissance (maximum):30W (comité technique)
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| Statut sans plomb/statut de RoHS : | Sans plomb/RoHS conforme |
|---|---|
| Description détaillée : | N-canal 600V 17A (comité technique) 30W (comité technique) par le trou TO-220FP |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : | 1 (illimité) |
| Type de FET : | N-canal |
| Série : | MDmesh™ II |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : | 17A (comité technique) |
| D'autres noms : | 497-11868-5 |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds : | 1400pF @ 50V |
| Vgs (maximum) : | ±30V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : | 190 mOhm @ 8A, 10V |
| Technologie : | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : | 46nC @ 10V |
| Température de fonctionnement : | -55°C | 150°C (TJ) |
Problème commun
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Q : Comment payer après l'ordre de STF24NM60N ?
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