Pièces de carte du transistor MOSFET N-CH 100V 100A 8SON de Crystal Oscillator de circuit de CSD19532Q5B

Number modèle:CSD19532Q5B
Conditions de paiement:D/A, T/T, Western Union
Délai de livraison:1-2 jours de travail
Détails de empaquetage:Bande et bobine (TR)
Vidangez à la tension de source (Vdss):100V
Paquet/cas:8-PowerTDFN
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Adresse: 6909A SEG Plaza, No. 1002 Huaqiang North Street, Futian District, Shenzhen City, China
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Identification de Vgs (Th) (maximum) @ :3.2V @ 250µA
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) :6V, 10V
Statut sans plomb/statut de RoHS :Contient l'avance/RoHS conformes
Description détaillée :N-canal 100V 100A (ventres) 3.1W (merci), 195W (comité technique) bti 8-VSON-CLIP (5x6) de la surface
Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) :1 (illimité)
Fabricant Standard Lead Time :35 semaines
Type de FET :N-canal
Série :NexFET™
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C :100A (ventres)
D'autres noms :296-37478-2 CSD19532Q5B-ND
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds :4810pF @ 50V
Vgs (maximum) :±20V
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs :4,9 mOhm @ 17A, 10V
Technologie :Transistor MOSFET (oxyde de métal)
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs :62nC @ 10V
Température de fonctionnement :-55°C | 150°C (TJ)

 

Points culminants chauds d'offres

 

Modèle de produitMarque
XC6VLX550T- 1FFG1759IXILINX
XCKU115-2FLVA2104IXILINX
XC7A200T-2FFG676IXILINX
XCZU17EG-2FFVC1760EXILINX
EP2C35F672I8NALTERA
5CEBA2F23C8NALTERA
XC7Z035-2FFG676EXILINX
XC5VLX50-1FFG324IXILINX
XC6VSX475T-1FFG1156IXILINX
XCKU060-1FFVA1517CXILINX

 

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Pièces de carte du transistor MOSFET N-CH 100V 100A 8SON de Crystal Oscillator de circuit de CSD19532Q5B

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