Panneau de circuit intégré du transistor MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP de circuit intégré de SI3585CDV-T1-GE3 FPGA
Number modèle:SI3585CDV-T1-GE3
Conditions de paiement:D/A, T/T, Western Union
Délai de livraison:1-2 jours de travail
Détails de empaquetage:Bande et bobine (TR)
Vidangez à la tension de source (Vdss):20V
Paquet/cas:SOT-23-6 Mince, TSOT-23-6
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| Statut sans plomb/statut de RoHS : | Sans plomb/RoHS conforme |
|---|---|
| Description détaillée : | Rangée N de transistor MOSFET et P-canal 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W bti extérieur 6-TSOP |
| Caractéristique de FET : | Porte de niveau de logique |
| Puissance - maximum : | 1.4W, 1.3W |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) : | 1 (illimité) |
| Fabricant Standard Lead Time : | 32 semaines |
| Type de FET : | N et P-canal |
| Série : | TrenchFET® |
| Actuel - drain continu (identification) @ 25°C : | 3.9A, 2.1A |
| D'autres noms : | SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR |
| Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds : | 150pF @ 10V |
| Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs : | 58 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs : | 4.8nC @ 10V |
| Température de fonctionnement : | -55°C | 150°C (TJ) |
Points culminants chauds d'offres
| Modèle de produit | Marque |
| TLV9152QDGKRQ1 | TI |
| ISO7831DWR | TI |
| TPS562207SDRLR | TI |
| TPS7B4253QPWPRQ1 | TI |
| TPS25940AQRVCRQ1 | TI |
| ISO7331FCQDWRQ1 | TI |
| TPS22992RXPR | TI |
| TPS62913RPUR | TI |
| MPX2200AP | |
| CCS811B-JOPD | L'AMS |
Problème commun
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: Après réception de l'information, nous vous contacterons par l'email dès que possible.
Q : Comment payer après l'ordre de SI3585CDV-T1-GE3 ?
: Nous acceptons T/T (virement bancaire), Paypal, Unio occidental
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