Transistor IHW30N160R2 IGBT des dispositifs à semi-conducteurs discrets de puissance H30R1602
Number modèle:IHW30N160R2FKSA1
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Marque:Infineon Technologies/redresseur international IOR
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Guangzhou Guangdong China
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Pièce 2201-03, pièce 2206, Changfeng 1 international, no. 96, Lixin No. 12 route, secteur de Zengcheng, ville de Guangzhou, province du Guangdong
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IHW30N160R2 Transistors IGBTs H30R1602 Série commutation douce Semi-conducteurs de puissance IC IHW30N160R2FKSA1Série de commutation douce
Applications:
• Cuisson par induction
• Applications de commutation logicielle
La description:
TrenchStop® Reverse Conducting (RC-)IGBT avec diode corps
monolithique
Traits:
• Puissante diode de corps monolithique avec très faible tension
directe
• La diode du corps bloque les tensions négatives
• La technologie Trench et Fieldstop pour les applications 1600 V
offre :
- distribution de paramètres très serrée
- haute robustesse, comportement stable en température
• La technologie NPT offre une capacité de commutation parallèle
facile grce
coefficient de température positif en VCE(sat)
• Faible EMI
• Qualifié selon JEDEC1
pour les applications cibles
• Placage de plomb sans plomb ;Conforme RoHS
Spécification : IGBT NPT, arrêt de champ de tranchée 1 600 V 60 A 312 W Trou traversant PG-TO247-3-1
| Numéro d'article | IHW30N160R2 |
Catégorie | Produits semi-conducteurs discrets |
Transistors - IGBT - Unique | |
Série | TrenchStop® |
Forfait | Tube |
Type d'IGBT | NPT, arrêt de champ de tranchée |
Tension - Répartition Collecteur Emetteur (Max) | 1600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 60 A |
Courant - Collecteur Pulsé (Icm) | 90 A |
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 30A |
Puissance - Max | 312W |
Changement d'énergie | 4.37mJ |
Type d'entrée | Standard |
Frais de porte | 94 nC |
Td (marche/arrêt) @ 25°C | -/525ns |
Condition de test | 600V, 30A, 10Ohms, 15V |
Température de fonctionnement | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | travers le trou |
Paquet/caisse | TO-247-3 |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TO247-3-1 |
Transistor IHW30N160R2 IGBT des dispositifs à semi-conducteurs discrets de puissance H30R1602
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