La Manche 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF du transistor MOSFET N de puissance d'Infineon HEXFET
Number modèle:IRLR3915TRPBF
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Marque:Infineon Technologies/redresseur international IOR
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La Manche 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF du transistor MOSFET N de puissance d'Infineon HEXFET
IRLR3915TRPBF Infineon Technologies/produits semiconducteurs discrets internationaux du N-canal 55V 30A DPAK de transistor MOSFET du redresseur IOR HEXFET
Bti D-PAK de la surface 120W (comité technique) du N-canal 55 V 30A (comité technique)
Description
Ce transistor MOSFET de puissance de HEXFET® utilise les dernières techniques de traitement pour réaliser extrêmement - la basse sur-résistance par secteur de silicium.
Les caractéristiques supplémentaires de ce produit sont une température de fonctionnement de la jonction 175°C, la vitesse rapidement de changement et l'estimation répétitive améliorée d'avalanche. Ces caractéristiques combinent pour faire cette conception un dispositif extrêmement efficace et fiable pour l'usage dans une grande variété d'applications.
Caractéristiques :
Avalanche répétitive de changement rapide très réduite avancée de température de fonctionnement de la Sur-résistance 175°C de technologie transformatrice permise jusqu' Tjmax D-PAK IRLR3915PbF Je-PAK IRLU3915PbF Lea
Spécifications techniques de produit
| Numéro de la pièce | IRLR3915TRPBF |
| Numéro de la pièce bas | IRLR3915 |
| UE RoHS | Conforme avec l'exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Statut de partie | Actif |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Catégorie | Produits semiconducteurs discrets |
Transistors - FETs, transistors MOSFET - simples | |
Mfr | Infineon Technologies |
Série | HEXFET® |
Paquet | Bande et bobine (TR) |
Statut de partie | Actif |
Type de FET | N-canal |
Technologie | Transistor MOSFET (oxyde de métal) |
Vidangez la tension de source (Vdss) | 55 V |
Actuel - drain continu (identification) @ 25°C | 30A (comité technique) |
Tension d'entraînement (Max Rds On, Min Rds On) | 5V, 10V |
Le RDS sur (maximum) @ l'identification, Vgs | 14mOhm @ 30A, 10V |
Identification de Vgs (Th) (maximum) @ | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (maximum) @ Vgs | 92 OR @ 10 V |
Vgs (maximum) | ±16V |
Capacité d'entrée (Ciss) (maximum) @ Vds | 1870 PF @ 25 V |
Caractéristique de FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 120W (comité technique) |
Température de fonctionnement | -55°C | 175°C (TJ) |
Montage du type | Bti extérieur |
Paquet de dispositif de fournisseur | D-PAK |
Paquet/cas | TO-252-3, DPak (2 avances + étiquettes), SC-63 |
Nombre bas de produit | IRLR3915 |
La Manche 55V 30A DPAK IRLR3915TRPBF du transistor MOSFET N de puissance d'Infineon HEXFET
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