Transistor bipolaire discret des dispositifs de semi-conducteur de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia BJT

Number modèle:PBHV8540X, 115
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Conditions de paiement:T/T
Délai de livraison:2~8 jours ouvrables
Marque:Nexperia Etats-Unis inc.
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Description de produit

 

Semi-conducteurs discrets BJT de transistor bipolaire de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia

 

Transistor bipolaire 500V 0,5 de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia (BJT) UN NPN transistor haute tension de NPN un bas VCEsat (BISS)

Transistor haute tension discret des produits-Un NPN bas VCEsat (BISS) de semi-conducteur

 

 

Description :

Percée haute tension de NPN basse VCEsat dans le petit transistor du signal (BISS) dans une puissance SOT89 (SC-62) moyenne et un paquet en plastique du dispositif Surface-monté par avance plate (SMD). Complément de PNP : PBHV9040X.

 

Application :

• Conducteur de LED pour le module chaînes de LED

• Contre-jour d'affichage cristaux liquides

• Gestion des véhicules moteur de moteur

• Commutateur de crochet pour des télécom de cble

• Alimentation d'énergie de mode de commutateur (SMPS)

 

Caractéristiques :

• Haute tension

• Basse tension de saturation de collecteur-émetteur VCEsat

• Capacité élevée IC et missile aux performances améliorées de courant de collecteur

• HFE élevé de gain actuel de collecteur chez haut IC

• AEC-Q101 a qualifié

 

Version de description de nom

Paquet surface-monté en plastique de PBHV8540X SOT89 ; meurent la protection pour le bon transfert de chaleur ; 3 avances

Spécifications techniques de produit

 

Catégorie
Produits semiconducteurs discrets
 
Transistors - bipolaires (BJT) - simples
Mfr
Nexperia USA Inc.
Statut de partie
Actif
Type de transistor
NPN
Actuel - collecteur (IC) (maximum)
500 mA
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum)
400 V
Saturation de Vce (maximum) @ Ib, IC
250mV @ 60mA, 300mA
Actuel - coupure de collecteur (maximum)
100nA
Gain actuel de C.C (hFE) (minute) @ IC, Vce
100 @ 50mA, 10V
Puissance - maximum
520 mW
Fréquence - transition
30MHz
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Montage du type
Bti extérieur
Paquet/cas
TO-243AA
Paquet de dispositif de fournisseur
SOT-89
Nombre bas de produit
PBHV8540
Numéro de la piècePBHV8540X, 115
UE RoHSConforme avec l'exemption
ECCN (US)EAR99
Statut de partieActif
HTS8541.29.00.95

 

Images :

 

 

 

 

 

 

China Transistor bipolaire discret des dispositifs de semi-conducteur de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia BJT supplier

Transistor bipolaire discret des dispositifs de semi-conducteur de PBHV8540X PBHV8540 Nexperia BJT

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