Haute tension discrète des dispositifs de semi-conducteur d'IGBT IXGH24N170 IXYS IXGH24
Number modèle:IXGH24N170
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Marque:IXYS
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Description de produit
Produitssemiconducteursdiscrets haute tension d'IXGH24N170 IXYS IGBT IXGH24IGBT1700V50A250WTO247AD
Spécifications : IGBT haute tension TNP 1700 V 50 A 250 W par le trou TO-247AD
| Numéro de la pièce | IXGH24N170 |
Catégorie | Produits semiconducteurs discrets |
Transistors - IGBTs - simples | |
Mfr | IXYS |
Série | - |
Paquet | Tube |
Statut de partie | Actif |
Type d'IGBT | TNP |
Tension - panne de collecteur-émetteur (maximum) | 1700 V |
Actuel - collecteur (IC) (maximum) | 50 A |
Actuel - collecteur pulsé (missile aux performances améliorées) | 150 A |
Vce (dessus) (maximum) @ Vge, IC | 3.3V @ 15V, 24A |
Puissance - maximum | 250 W |
Énergie de changement | 8mJ () |
Type d'entrée | Norme |
Charge de porte | 106 OR |
Le TD ("Marche/Arrêt") @ 25°C | 42ns/200ns |
Condition d'essai | 1360V, 50A, 5Ohm, 15V |
Température de fonctionnement | -55°C | 150°C (TJ) |
Montage du type | Par le trou |
Paquet/cas | TO-247-3 |
Paquet de dispositif de fournisseur | TO-247AD |
Nombre bas de produit | IXGH24 |
| Numéro de la pièce | IXGH24N170 IXGT24N170 |
| Numéro de la pièce bas | IXGH24 |
| UE RoHS | Conforme avec l'exemption |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Statut de partie | Actif |
| HTS | 8541.29.00.95 |
Caractéristiques
Forfaits standards internationaux
JEDEC TO-268 et
ANNONCE DE JEDEC TO-247
Capacité de manipulation forte intensité
Mise en fonction de MOS Gate
- simplicité d'entraînement
Structure rocailleuse de TNP
Les époxydes de moulage rencontrent l'UL 94V-0
classification d'inflammabilité
Applications
Décharge de condensateur et circuits pulser
Contrôle de vitesse de moteur C.A.
Commandes de servo et de robot de C.C
Couperets de C.C
Alimentations d'énergie non interruptible (UPS)
alimentations de Commuter-mode et d'énergie de résonnant-mode
Avantages
Densité de puissance élevée
Approprié au support extérieur
Facile monter avec 1 vis, (trou d'isolement de vis de montage)
Classifications environnementales et d'exportation
| ATTRIBUT | DESCRIPTION |
|---|---|
| Statut de RoHS | ROHS3 conforme |
| Niveau de sensibilité d'humidité (MSL) | 1 (illimité) |
| Statut de PORTÉE | ATTEIGNEZ inchangé |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8541.29.0095 |
Haute tension discrète des dispositifs de semi-conducteur d'IGBT IXGH24N170 IXYS IXGH24
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