dispositifs de semi-conducteur discrets de 900V 6A 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
Number modèle:IRF1404PBF IRF1404ZPBF
Quantité d'ordre minimum:1 morceau
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Marque:Infineon
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Description de produit
Semi-conducteurs discrets 900V 6A de 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
Transistor MOSFET simple de puissance de N-canal d'IRF1404 IRF1404PBF IRF1404Z IRF1404ZPBF 40V dans un paquet TO-220
Au sujet d'IRF1404PBF :
Résumé des caractéristiques
Transistor MOSFET simple de puissance de N-canal d'IRF1404 40V dans
un paquet TO-220
Structure cellulaire planaire pour SOA large
Optimisé pour la plus large disponibilité des associés de
distribution
Qualification de produit selon la norme de JEDEC
Paquet industriellement compatible de puissance de surface-bti
Estimation forte intensité
Avantages :
Rugosité accrue
Compatibilité plusieurs fournisseurs
Niveau industriellement compatible de qualification
Le pinout standard tient compte de la baisse en remplacement
Capacité de transport forte intensité
Spécifications techniques de produit
| Parametrics | IRF1404 |
| Identification (@25°C) maximum | 202 A |
| Support | THT |
| Ptot maximum | 200 W |
| Paquet | TO-220 |
| Polarité | N |
| QG (type @10V) | 131 OR |
| Qgd | 42 OR |
| Le RDS (dessus) (@10V) maximum | mΩ 4 |
| RthJC maximum | 0,75 K/W |
| Usages spéciaux | SOA large |
| Tj maximum | °C 175 |
| VDS maximum | 40 V |
| Minute de VGS (Th) maximum | 3 V 2 V 4 V |
| VGS maximum | 20 V |
dispositifs de semi-conducteur discrets de 900V 6A 06N90E FMV06N90E FMH06N90E
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