Résistance à bornes larges 3W 20m Ohm Résistance de puissance élevée à montage en surface Taille 1225
Numéro de modèle:HTE2512M3W0R020F
Lieu d'origine:Fabriqué en Chine
Quantité minimum de commande:4000
Conditions de paiement:T/T
Délai de livraison:3-5 jours ouvrables
Nom:Résistance terminale large
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Shenzhen China
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7ème étage, Bloc B, Bâtiment 9, Parc scientifique et technologique Baoneng, Route Qingxiang, Nouveau district de Longhua, Shenzhen
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HTE2512M3W0R020F 1225 Taille 0.02Ω (20m Ohm) Résistance bornes
larges pour les applications de stations de base 5G
Le HTE2512M3W0R020F est une résistance bornes 1225 0.02Ω (20m Ohm)
3W 1% spécialisée, conçue pour les circuits de puissance et de
mesure avancés. Ce composant haute performance offre stabilité,
précision et durabilité dans des conditions exigeantes, tout en
respectant les normes environnementales RoHS, REACH et sans plomb.
Spécifications techniques
| Paramètre | Spécification |
|---|---|
| Numéro de pièce | HTE2512M3W0R020F |
| Valeur de résistance | 0.02Ω (20mΩ) |
| Tolérance | ±1% |
| Puissance nominale | 3W |
| Taille du boîtier | 1225 (6,4 mm * 3,2 mm) |
| Coefficient de température (TCR) | ±50 ppm/°C |
| Matériau de résistance | Alliage cuivre-manganèse (MnCu) |
| Température de fonctionnement | -55°C +155°C |
Principales caractéristiques
- Résistance ultra-faible : 0,02Ω (20mΩ) pour des chutes de tension minimales dans les applications de détection de courant
- Puissance nominale élevée : Capacité de dissipation de 3W dans un boîtier compact 2512
- Tolérance de précision : ±1 % garantit des performances constantes tout au long de la production
- Construction en alliage MnCu : Offre une stabilité exceptionnelle avec un faible TCR et une FEM thermique
- Conception faible inductance : Idéale pour les applications de commutation haute fréquence
- Conformité environnementale : Normes RoHS, REACH et sans plomb
Avantages des matériaux
La construction en alliage cuivre-manganèse (MnCu) garantit des
performances supérieures avec une résistance presque constante en
fonction des variations de température. Ce matériau minimise la
génération de FEM thermique aux jonctions, ce qui est essentiel
pour des mesures précises basse tension dans les applications
sensibles.
Avantages de la conception
La taille du boîtier 1225 offre une surface optimale pour la
dissipation de la chaleur tout en conservant un encombrement
compact. La conception de la résistance bornes comprend des
connexions robustes et soudables, adaptées aux chemins courant
élevé et l'assemblage automatisé. La construction faible inductance
empêche les pics de tension dans les applications haute fréquence.
Applications
- Blocs d'alimentation (PSU) et convertisseurs CC-CC
- Systèmes de gestion de batterie (BMS) pour les VE et le stockage d'énergie
- Entraînements de moteurs et onduleurs
- Automatisation industrielle et machines CNC
- Amplificateurs audio haute puissance
Résumé des performances
Le HTE2512M3W0R020F combine une résistance ultra-faible, une
gestion de puissance élevée et une tolérance de précision dans un
boîtier conforme l'environnement. Sa construction en MnCu et sa
conception optimisée en font l'appareil idéal pour les applications
de détection de courant exigeantes nécessitant précision, stabilité
et fiabilité.
Résistance à bornes larges 3W 20m Ohm Résistance de puissance élevée à montage en surface Taille 1225
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