Résistances haute puissance faible TCR Résistance ultra faible ohm 8m Ohm
Numéro de modèle:HTE2512M3W0R008F
Lieu d'origine:Fabriqué en Chine
Quantité minimum de commande:4000
Conditions de paiement:T/T
Délai de livraison:3-5 jours ouvrables
fabricant:Walter
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Shenzhen China
Adresse:
7ème étage, Bloc B, Bâtiment 9, Parc scientifique et technologique Baoneng, Route Qingxiang, Nouveau district de Longhua, Shenzhen
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Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Résistance borne large HTE2512M3W0R008F avec une résistance de
0,008Ω (8mΩ) Taille 1225 pour les applications de station de base
5G
Le HTE2512M3W0R008F est un composant spécialisé conçu pour les
applications critiques de détection de courant et de gestion de
l'alimentation. Cette résistance borne haute performance 1225
0,008Ω (8m Ohm) 3W 1% offre une efficacité, une précision et une
fiabilité exceptionnelles pour les conceptions électroniques
sophistiquées.
Spécifications clés
| Paramètre | Spécification |
|---|---|
| Numéro de pièce | HTE2512M3W0R008F |
| Valeur de résistance | 0,008Ω (8mΩ) |
| Tolérance | ±1% |
| Puissance nominale | 3W |
| Taille du boîtier | 1225 (6,4 mm * 3,2 mm) |
| Coefficient de température (TCR) | ±100 ppm/°C |
| Matériau de résistance | Alliage cuivre-manganèse (MnCu) |
| Température de fonctionnement | -55°C +125°C |
Aperçu du produit et applications clés
Cette résistance montage en surface (SMD) présente une résistance
extrêmement faible de 0,008Ω (8 milliOhms) et une puissance
nominale élevée de 3W avec une tolérance serrée de 1%, ce qui la
rend idéale pour les applications nécessitant une mesure précise du
courant.
Applications principales :
- Détection de courant dans les alimentations et les convertisseurs : utilisé dans les convertisseurs CC-CC, les modules de régulateur de tension (VRM) et les alimentations découpage
- Systèmes de gestion de batterie (BMS): Mesure avec précision les courants de charge/décharge dans les véhicules électriques et le stockage d'énergie renouvelable
- Contrôle et entraînements de moteurs: Sert de résistance shunt dans les circuits d'onduleur pour l'automatisation industrielle et la robotique
- Circuits de protection contre les surintensités: Permet la surveillance du courant avec une chute de tension minimale
Principales caractéristiques de performance
Résistance ultra-faible de 0,008Ω (8mΩ)
Atteint une chute de tension négligeable (seulement 80 mV un
courant de 10 A), minimisant la perte de puissance et la génération
de chaleur pour une efficacité maximale du système.
Puissance nominale élevée de 3W
La construction robuste gère les courants de surtension importants
et fonctionne de manière fiable dans les environnements haute
puissance, empêchant l'emballement thermique.
Tolérance serrée de 1%
Garantit une résistance réelle dans les ±0,00008Ω de la valeur
nominale, ce qui est essentiel pour une détection précise du
courant dans les systèmes de contrôle.
Matériaux et construction avancés
- Alliage MnCu: Offre une excellente stabilité thermique avec un très faible coefficient de température de résistance (TCR)
- Conception faible inductance: Minimise la réactance inductive pour une mesure précise de la forme d'onde du courant
- Borne et substrat robustes: Le substrat en céramique offre une excellente isolation électrique et une conductivité thermique
Conformité et normes environnementales
Fabriqué en pleine conformité avec les réglementations RoHS et
REACH. Composant sans plomb (sans Pb) adapté aux applications
mondiales dans le respect de normes environnementales strictes.
Conclusion
Le HTE2512M3W0R008F est une solution hautement conçue qui équilibre
une résistance ultra-faible de 0,008Ω, une puissance nominale
robuste de 3W et une tolérance précise de 1 %. Sa construction en
alliage MnCu supérieure et sa conception faible inductance le
rendent idéal pour la détection de courant de haute précision dans
l'électronique de puissance, les systèmes automobiles et les
technologies d'énergie renouvelable.
Résistances haute puissance faible TCR Résistance ultra faible ohm 8m Ohm
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