Résistance à borne large et très faible résistance pour applications de station de base 5G
Numéro de modèle:HTE2512M3W0R009F
Lieu d'origine:Fabriqué en Chine
Quantité minimum de commande:4000
Conditions de paiement:T/T
Délai de livraison:3-5 jours ouvrables
fabricant:Walter
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse:
7ème étage, Bloc B, Bâtiment 9, Parc scientifique et technologique Baoneng, Route Qingxiang, Nouveau district de Longhua, Shenzhen
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Détails du produit
Profil de la société
Détails du produit
Résistance borne large très faible ohm avec taille 1225 pour les
applications de station de base 5G
Dans les applications électroniques exigeantes nécessitant
efficacité, précision et fiabilité, la résistance de puissance
HTE2512M3W0R009F de la série HTE offre des performances
exceptionnelles pour les applications courant élevé et de haute
précision.
Spécifications principales
Le code produit HTE2512M3W0R009F révèle les principales
spécifications techniques :
- 1225/HTE2512 : Boîtier de puce 2512 standard de l'industrie (6,4 mm x 3,2 mm) pour une dissipation thermique efficace
- 0,009 Ω (9 m Ohm) : Très faible résistance pour une chute de tension minimale dans les applications de détection de courant
- Puissance nominale de 3 W : Capacité de dissipation de puissance élevée pour les environnements forte densité de puissance
- Tolérance de 1 % : Haute précision de fabrication pour une mesure et un contrôle précis du courant
Spécifications techniques
| Paramètre | Spécification |
|---|---|
| Numéro de pièce | HTE2512M3W0R009F |
| Valeur de résistance | 0,009 Ω (9 mΩ) |
| Tolérance | ±1 % |
| Puissance nominale | 3 W |
| Taille du boîtier | 1225 (6,4 mm * 3,2 mm) |
| Coefficient de température (TCR) | ±100 ppm/°C |
| Matériau de résistance | Alliage cuivre-manganèse (MnCu) |
| Température de fonctionnement | -55 °C +125 °C |
Avantages des matériaux : alliage de manganine (MnCu)
Le HTE2512M3W0R009F utilise un alliage de manganine pour des
performances supérieures :
- Faible coefficient de température de résistance (TCR) pour des performances stables sur toute la plage de températures
- Faible FEM thermoélectrique par rapport au cuivre pour une détection précise du courant continu
- Excellente stabilité long terme et résistance l'oxydation
Fonctionnalités de performance avancées
- Conception faible inductance pour les applications de commutation haute fréquence
- Gestion thermique efficace pour un fonctionnement stable de 3 W
- La construction robuste empêche les points chauds
Applications typiques
- Détection précise du courant dans les unités de contrôle moteur et les convertisseurs CC-CC
- Circuits de protection contre les surintensités dans les alimentations électriques
- Systèmes de gestion de batterie pour véhicules électriques
- Amplificateur de puissance et équipement audio
Conformité et qualité
Le HTE2512M3W0R009F est conforme aux réglementations RoHS et REACH,
utilisant des matériaux et des processus sans plomb pour les normes
environnementales mondiales.
Cette résistance de précision combine une très faible résistance,
une gestion de puissance élevée et une stabilité exceptionnelle
pour les applications courant élevé exigeantes où la précision et
la fiabilité sont essentielles.
Résistance à borne large et très faible résistance pour applications de station de base 5G
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