990 EVO Plus NVMe M.2 ordinateur portable disque dur SSD Pour PC

Numéro de modèle:990 EVO

Lieu d'origine:Pékin, Chine

Couleur:Noir

Le poids:Poids maximal de 9,0 g

L*H*P:Pour les pièces de rechange, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale ou supérieure à 0,1

Écrire séquentiellement:Jusqu'à 6 300 MB/s *

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Beijing Yuchuang Qiji Technology Development Co., Ltd.

Fournisseur Vérifié

Adresse: 204, bâtiment 4, cour 5, usine de plaques Longxiang

dernière connexion fois fournisseur: dans 26 heures

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Une vitesse spectaculaire tous les jours

990 EVO Plus avec la dernière NAND offre des vitesses de lecture/écriture séquentielles améliorées jusqu' 7 250/6 300 MB/s1.

Une énergie fraîche travers la journée

L'efficacité optimisée, les performances étendues. Le contrôleur revêtu de nickel augmente MB/s par watt de 73%, atteignant le même niveau de puissance et de contrôle thermique avec une consommation d'énergie moindre.Restez concentré sur le travail ou le jeu sans craindre une surchauffe ou une batterie..

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Whatsapp: +86 13990019179 Vous pouvez nous contacterJe ne sais pas si je peux vous aider.

Les spécifications

Application du projet
Les PC clients
Interface
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMeTM 2.0
Dimension (emballage: WxHxD)
Pour les pièces de rechange, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale ou supérieure 0,15 mm.
Le poids
Poids maximal de 9,0 g
Résultats
Jusqu' 7 250 MB/s *
Écrire séquentiellement
Jusqu' 6 300 MB/s *
Garantie
Garantie limitée de 5 ans ou garantie limitée de 2400 TBW

Application du projet
Les PC clients
Capacité nominale
4,000GB (1GB = 1 milliard de octets par IDEMA) * La capacité réelle utilisable peut être inférieure (en raison du formatage, de la partition, du système d'exploitation, des applications ou autre)
Facteur de forme
M.2 (2280)
Interface
PCIe® 4.0 x4 / 5.0 x2 NVMeTM 2.0
Dimension (emballage: WxHxD)
Pour les pièces de rechange, la valeur maximale de l'échantillon doit être égale ou supérieure 0,15 mm.
Le poids
Poids maximal de 9,0 g
Mémoire de stockage
Samsung V-NAND TLC
Contrôleur
Contrôleur interne de Samsung
Mémoire de cache
HMB ((Bouffer de mémoire hôte)

Soutien TRIM
Soutenue
Soutien S.M.A.R.T.
Soutenue
GC (collection des déchets)
Algorithme de collecte automatique des ordures
Prise en charge du chiffrement
Le code de l'appareil doit être identifié l'aide d'un code de connexion.
Appui la WWN
Non supporté
Prise en charge du mode veille
- Oui, oui.

Lecture séquentielle
Jusqu' 7 250 MB/s *
Écrire séquentiellement
Jusqu' 6 300 MB/s *
Lecture aléatoire (4KB, QD32)
Jusqu' 1,050,000 IOPS * Les performances peuvent varier selon le matériel et la configuration du système
Écrire au hasard (4KB, QD32)
Jusqu' 1,400,000 IOPS * Les performances peuvent varier selon le matériel et la configuration du système

Consommation moyenne d'énergie (niveau du système)
Moyenne: lecture 5,5 W / écriture 4,8 W* consommation d'énergie réelle peut varier selon le matériel et la configuration du système
Consommation d'électricité (en veille)
60 mW typiques * La consommation d'énergie réelle peut varier selon le matériel et la configuration du système
Consommation d'électricité (durée de fonctionnement du dispositif)
5 mW typiques * La consommation d'énergie réelle peut varier en fonction du matériel et de la configuration du système
Voltage autorisé
3.3 V ± 5 % Voltage autorisé
La fiabilité (MTBF)
1.5 millions d'heures de fiabilité (MTBF)
Température de fonctionnement
Température de fonctionnement de 0 70 °C
Le choc
1,500 G et 0,5 ms (moitié de sinus)