Transistor de puissance RF GAN à haute mobilité électronique de 28 V CC à 4 GHz
Numéro de modèle:Le montant de l'aide est calculé en fonction de la situation actuelle de l'entreprise.
Lieu d'origine:Jiangsu, Chine
Délai de livraison:5 à 8 jours ouvrables
Détails de l'emballage:Cartonné
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Fournisseur Vérifié
Suzhou Jiangsu China
Adresse:
Chambre 107, Sanjiang Yuan, rue Linquan 399, parc industriel de Suzhou, ville de Suzhou, province du Jiangsu
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INNOTION YP01401650T 50W Nitrure de gallium 28V DC-4GHz Transistor de puissance RF haute mobilité électronique GAN
Description du produit
Innotion's YP01401650T est un transistor haute mobilité électronique (HEMT) de 50 watts, de nitrure de gallium (GaN) inégalé, spécialement conçu pour un rendement élevé,capacités de gain élevé et de large bande passante avec une fréquence allant jusqu' 4000 MHzLe transistor est fourni dans un emballage en céramique/métal.
| Le vote | 28 V |
| Pout | 50 W |
Caractéristiques:
Opération haut rendement et gain linéaire
Voltage négatif de la porte et séquence de biais requises
Excellente stabilité thermique et excellente robustesse
Emballage base de métal scellé avec un couvercle céramique-époxy
Système de métallisation de l'or: boîtier de filament de puce
Informations sur la société
Nous vendons nos propres produits au meilleur prix, tels que
l'amplificateur WiFi, VCO, source de signal de balayage,groupe de
cartes sans fil et autres lignes de produits;
Les professionnels font des choses professionnelles. Nous avons
maîtrisé certaines technologies de base dans le domaine des
produits et avons un certain nombre de droits de propriété
intellectuelle indépendants.
Nos produits ont été vendus de nombreuses villes nationales, mais
aussi très populaire auprès de nombreux clients étrangers, tels que
la Russie, les États-Unis, la Corée du Sud, le Vietnam, la Suède et
ainsi de suite.
Nos services
Nous restons fidèles notre engagement assurer un service la clientèle de première classe.
Transistor de puissance RF GAN à haute mobilité électronique de 28 V CC à 4 GHz
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