é de type carbure de silicium

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Lieu d'origine:Chine

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ZHENGZHOU SONGYU HIGH TEMPERATURE TECHNOLOGY CO.,LTD

Fournisseur Vérifié

Zhengzhou Henan China

Adresse: Ville de Dengfeng, ville de Zhengzhou, province du Henan

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Rameau de carbure de silicium de type ED
Les barres de carbure de silicium de même diamètre (type ED) sont une sorte d'éléments chauffants hautes performances.réduit les risques de fissures et de dommages causés par la concentration de contrainte thermiqueLeur principal matériau est le carbure de silicium, qui a une dureté extrêmement élevée et une excellente résistance aux températures élevées.000 °CLes tiges de carbure de silicium de même diamètre (type ED) ont de petites résistances de bout,et le courant est réparti uniformément sur le corps de la tigeCela améliore non seulement l'efficacité de la conversion de l'énergie électrique en énergie thermique, ce qui permet d'obtenir des effets d'économie d'énergie remarquables.mais réduit également le risque de surchauffe et de dommages aux extrémitésIls chauffent uniformément et peuvent fournir un environnement stable haute température pour les fours poussée, les fours courroie mailles, les fours chariot, les fours poussée,fourneaux boîtes et autres équipements dans les industries telles que les poudres fluorescentes de terres rares, l'électronique, les matériaux magnétiques, la métallurgie des poudres et la coulée de précision, assurant la cohérence de la qualité du produit.

Diamètre extérieur (OD, mm)	Zone chaude (HZ, mm)	Zone froide (CZ, mm)	Longueur totale (OL, mm)	Plage de résistance (ohms)
8	100 300	60 200	240 700	2Un huit.6
14	100 500	150 350	400 1200	0.7 5.6
16	200 600	200 350	600 1300	0.7 4.4
18	200 800	200 400	600 1600	0.7 5.8
20	200 800	250 600	700 2000	0.6 6.0
25	200 1200	250 700	700 2600	0.4 5.0
30	300 2000	250 800	800 3600	0.4 4.0
35	400 2000	250 800	900 3600	0.5 3.6
40	500 2700	250 800	1000 4300	0.5 3.4
45	500 3000	250 750	1000 4500	0.3-3.0
50	600 2500	300 750	1200 4000	0.3-2.5
54	600 2500	300 750	1200 4000	0.3-3.0

é de type carbure de silicium

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