Test de résistance à la traction à haute performance Fil ultrafin Fil de liaison en or pour les processus d'emballage et d'assemblage de semi-conducteurs
Numéro de modèle:WGBW-1
Lieu d'origine:La Chine
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Capacité à fournir:1000000 petits pains par mois
Délai de livraison:5 à 8 jours ouvrables.
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Shenzhen China
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B105, 90-5 Dayang Road, communauté de Rentian, rue Fuhai, district de Bao'an, Shenzhen, République populaire de Chine
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Test de traction haute performance fil ultrafin fil d'or de liaison fil pour les processus d'emballage et d'assemblage de semi-conducteurs
Le fil de liaison en or ultrafin (diamètre de 15 50 μm) offre une
résistance la traction exceptionnelle (≥ 12 g) pour les
interconnexions de semi-conducteurs critiques dans les emballages
IC avancés.il assure une conductivité électrique supérieure (≤
2.0μΩ·cm) et résistance l'oxydation, minimisant les risques de
rupture des fils dans des environnements haute fréquence/haute
température.Applications aérospatiales nécessitant une conformité
la norme MIL-STD-883.
Principaux avantages:
- Contrôle de précision: tolérance de diamètre ± 0,5 μm pour une formation de boucle stable
- Efficacité des coûts: taux de rupture 30% inférieur celui des alternatives en cuivre
- Éco-conformité: certifié RoHS, sans halogène
- Optimisé pour les machines de liaison de fil (K & S, ASM), notre fil améliore les rendements de production de 15% tout en répondant aux normes JEDEC J-STD-035.
Le gagnant fabrique du fil d'or de diamètres aussi petits que
0,0005 pouces (12,5 microns), avec un allongement très uniforme,
résistance la traction et propriétés dimensionnelles.autres fils de
fibre de verre, sont fabriqués partir de métaux hautement raffinés
et traités sous vide.
Les besoins physiques Propriétés
Densité: | 190,34 g/cm3 |
Point de fusion: | 1063°C |
Résistance électrique: (@20°C) | 20,3 μΩ-cm |
Conductivité électrique: (@20°C) | 75% (IACS) |
Conductivité thermique: (@20°C) | Pour les véhicules moteur électrique |
Courant de fusion (10 mm x 25 μm) | 0.52 A |
Nous sommes fiers d'offrir une gamme complète de diamètres de fil,
répondant ainsi aux divers besoins en matière de résistance et
d'allongement dans différentes applications de fil.Nous collaborons
étroitement avec nos clients pour fournir des solutions
personnaliséesDans ces solutions sur mesure, les paramètres
techniques tels que la résistance la traction et l'allongement sont
soigneusement adaptés pour répondre leurs besoins spécifiques.Cette
approche centrée sur le client nous permet non seulement de
répondre mais de dépasser les attentes de nos clients sur le marché
hautement concurrentiel des applications de fabrication de fils et
de collage.
Composition | Diamètre | Résistance la traction (gms) | L'allongement (en %) | |
990,99% Au | 0.7 millions | 17.5 μm | 3 10 | 2 6 |
0.8 millions | 20 μm | 4 13 | 2 7 | |
0.9 millions | 22.5 μm | 5 16 | 2 8 | |
1.0 millions | 25 μm | 6 20 | 2 8 | |
1.3 millions | 32.5 μm | 10 45 | 2 10 | |
1.5 millions | 37.5 μm | 13 50 | 2 12 | |
1.7 millions | 42.5 μm | 15 60 | 2 12 | |
1.8 millions | 45 μm | 20 70 | 2 12 | |
2.0 millions | 50 μm | 25 85 | 2 15 | |
3.0 millions | 75 μm | 50 180 | 2 20 | |
Pourquoi le fil d'or?
Le fil de liaison l'or (Au) est utilisé dans un large éventail
d'applications allant des appareils microélectroniques haut nombre
d'épingles et haute hauteur ultra-fine aux composants discrets de
haute puissance. Au is the preferred choice of bonding material
when a) the contact material is not compatible with Aluminum (Al)
and/or Copper (Cu) b) the contact area is limited c) the device
will be subject to high temperature or high humidity environments.
Les avantages du fil d'or:
• Extrême fiabilité des obligations
• Une large fenêtre de traitement
• Collage de billes et de cloisons faible impact
• Des performances de boucle supérieures
• Haute résistance la traction
• Excellente résistance la corrosion
• Courant de fusion plus élevé que le fil de liaison Al standard.
Test de résistance à la traction à haute performance Fil ultrafin Fil de liaison en or pour les processus d'emballage et d'assemblage de semi-conducteurs
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