Céramique d'aluminium de haute pureté avec une résistivité volumique de 10 4 Ohm*cm pour les applications dans les semi-conducteurs

Lieu d'origine:Fabriqué en Chine, Zhejiang, Jinhua
Quantité de commande minimale:Négocier
Délai de livraison:Négociable
Conditions de paiement:Négociable
Pureté:96%, 99%
Matériels:Poudre d'alumine à 92%
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Jinhua Zhejiang China
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Céramique d'alumine de haute pureté avec une résistivité volumique de 10⁴ Ohm*cm pour les applications en semi-conducteurs


Cette série de composants en céramique d'alumine spécifiques aux semi-conducteurs est fabriquée partir d'un matériau Al₂O₃ de haute pureté 99,6 % grce des procédés de coulée sur bande de précision et de frittage haute température. Les produits présentent une excellente isolation, une résistance la corrosion et une stabilité dimensionnelle, répondant aux exigences de propreté de la norme SEMI F47.

Principales applications en semi-conducteurs

  • Fabrication de plaquettes : pièces en céramique pour machines de gravure, barquettes de diffusion

  • Conditionnement et tests : substrats de cartes de sondes, supports de test

  • Composants d'équipement : effecteurs d'extrémité de robot

  • Systèmes vide : bases de mandrins électrostatiques

  • Inspection optique : guides en céramique pour machines de lithographie

Avantages du produit

✓ Ultra-propre : teneur en ions métalliques <0,1 ppm
✓ Dimensions de précision : Tolérance ±0,05 mm/100 mm
✓ Résistance au plasma : Taux de gravure <0,1 μm/h
✓ Faible dégazage : TML <0,1 % CVCM <0,01 %
✓ Haute fiabilité : Passe 1000 cycles thermiques

Spécifications techniques

ParamètreSpécificationNorme d'essai
Pureté du matériauAl₂O₃≥99,6 %GDMS
Résistivité volumique>10⁴Ω·cmASTM D257
Constante diélectrique9,8@1MHzCEI 60250
Résistance la flexion≥400MPaISO 14704
CTE7,2×10⁻⁶/°CDIN 51045
Rugosité de surfaceRa≤0,1μmISO 4287
DégazageTML<0,1 %ASTM E595

Processus de fabrication des semi-conducteurs

  1. Préparation du matériau :

    • Poudre d'Al₂O₃ de qualité nano (D50≤0,5μm)

    • Broyage boulets de haute pureté (adjuvants de frittage Y₂O₃-MgO)

  2. Procédé de formage :

    • Coulée sur bande (épaisseur 0,1-5 mm)

    • Pressage isostatique (200 MPa)

  3. Contrôle du frittage :

    • Frittage en atmosphère multi-étapes (1600°C/H₂)

    • Post-traitement HIP (1500°C/150MPa)

  4. Usinage de précision :

    • Traitement laser (±5μm)

    • Perçage ultrasonique (rapport d'aspect 10:1)

  5. Nettoyage et inspection :

    • Nettoyage méga-sonique (salle blanche de classe 1)

    • Tests de particules SEMI F47

Consignes d'utilisation

⚠ Stockage : Emballage propre de classe 100
⚠ Environnement d'installation : 23±1°C HR45±5 %
⚠ Nettoyage : Solvants de qualité semi-conducteur uniquement
⚠ Manipulation : Éviter le contact direct avec les surfaces fonctionnelles

Services pour les semi-conducteurs

  • Vérification de la propreté : rapports de test VDA19

  • Analyse des défaillances : microanalyse SEM/EDS

  • Développement personnalisé : co-conception DFM

FAQ

Q : Comment garantir la propreté de la surface de contact des plaquettes ?
R : Triple protection :
① Activation de surface par plasma
② Emballage sous vide + stockage N₂
③ Nettoyage l'air ionisé avant l'installation

Q : Performance dans le plasma base de fluor ?
R : Version traitée spéciale :
• Taux de gravure <0,05μm/h
• Couche de passivation AlF₃
• Durée de vie 3 fois plus longue

Q : Taille maximale traitable ?
R : Standard 200×200 mm, procédé spécial jusqu' 400×400 mm.



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Céramique d'aluminium de haute pureté avec une résistivité volumique de 10 4 Ohm*cm pour les applications dans les semi-conducteurs

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