Boutons en céramique résistant aux températures élevées pour les températures de processus de 1200 °C dans l'industrie des LED

Lieu d'origine:Fabriqué en Chine
Quantité minimum de commande:Négociable
Délai de livraison:Négociable
Conditions de paiement:Négociable
Forme:Une buse
Durabilité:Longue durée
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Fournisseur Vérifié
Jinhua Zhejiang China
Adresse: Il s'agit de l'un des principaux fournisseurs d'électricité du pays.
dernière connexion fois fournisseur: dans 2 heures
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Buses en céramique résistantes aux hautes températures pour des températures de processus de 1200 °C dans l'industrie des LED


Spécialement développé pour les processus de fabrication de LED, ce produit est fabriqué partir de nitrure de silicium (Si₃N₄) de haute pureté 99,8 % grce un frittage précis par pression de gaz. Offrant une propreté ultra-élevée, une résistance aux hautes températures et une résistance la corrosion pour répondre aux exigences strictes des équipements MOCVD.

Applications dans la fabrication de LED

  • Équipement MOCVD : distribution précise de la source MO et du gaz NH₃

  • Croissance épitaxiale : injection uniforme de gaz dans les chambres de réaction

  • Fabrication de puces : systèmes de distribution de gaz de protection

  • Processus d'encapsulation : atomisation par pulvérisation de phosphore

  • Équipement de test : contrôle du gaz par inspection optique

Avantages pour l'industrie des LED

✓ Propreté ultra-élevée : teneur en ions métalliques <1 ppm
✓ Résistance aux hautes températures : résiste des températures de processus de 1200 °C✓ Zéro contamination gazeuse : aucune émission de particules
✓ Contrôle précis du débit : précision du débit de ±1 %
✓ Durée de vie prolongée : supporte plus de 5000 cycles thermiques
Paramètres spécifiques aux LED

Paramètre

SpécificationNorme de testPureté du matériau
Si₃N₄≥99,8 %GDMSÉmission de particules
≤5 particules/pi³ (≥0,1 µm)SEMI F24Rugosité de surface
Ra≤0,05 µmISO 4287Déformation thermique
≤0,01 mm 1000 °CASTM E228Tolérance d'alésage
±0,005 mmVDI/VDE 2617Adsorption de gaz
≤0,01 %DIN 1343Processus de fabrication propre

Préparation du matériau :

  1. Poudre nano (D50≤0,3 µm)

    • Broyage boulets sans poussière (salle blanche de classe 10)

    • Mise en forme et frittage :

  2. Pressage isostatique (200 MPa)

    • Frittage ultra-propre (environnement de classe 100)

    • Post-traitement :

  3. Nettoyage au plasma (décontamination de surface)

    • Nettoyage l'eau DI par ultrasons

    • Emballage :

  4. Emballage sous vide double

    • Sacs propres ISO Classe 4

    • Consignes d'utilisation

⚠ Installation : fonctionnement en salle blanche de classe 100 requis

⚠ Contrôle du gaz : utiliser des gaz de haute pureté 99,999 %
⚠ Gestion de la température : vitesse de chauffage ≤5 °C/min
⚠ Maintenance : test de fuite l'hélium toutes les 500 heures
Services spécialisés

Garantie prolongée : 18 mois

  • Tests de propreté : test gratuit d'émission de particules

  • Réponse rapide : assistance technique en 12 heures

  • Optimisation des processus : simulation du champ d'écoulement des gaz

  • FAQ

Q : Comment garantir la pureté de la distribution de la source MO ?

R : Trois mesures de protection :
① Passivation de la surface en Si
② Emballage propre de classe 100
③ Nettoyage au plasma avant l'installation
Q : Comment gérer l'obstruction des buses ?

R : Recommandé :
• Nettoyage aux ultrasons de 200 W + eau DI
• Pas de nettoyage mécanique la tige
• Service de nettoyage professionnel disponible
Q : Compatibilité avec différentes couches épitaxiales ?

R : Options personnalisables :
Structures matricielles trous multiples


  • Conceptions de tailles d'alésage graduelles

  • Configurations d'angle spéciales


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Boutons en céramique résistant aux températures élevées pour les températures de processus de 1200 °C dans l'industrie des LED

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