2N2222A
Catégorie:Produits à base de semi-conducteurs discrets
Transistors et appareils électroniques
Bipolaire (BJT)
Courant - collecteur (Ic) (maximum):800mA
Statut du produit:Actif
Type de montage:À travers le trou
Le paquet:Boîte
Série:-
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse:
Chambre 2204-2206, Bâtiment A, Phase II, Excellence City, Route Meilin, District de Futian, Shenzhen
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dans 25 heures
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Transistors bipolaires (BJT) 40V 800mA 1,2W travers le trou TO-18
2N2222A
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