Sensor HT HT-IQT-B Capteur de pression de silicium diffusé pour la mesure de haute température

Numéro de modèle:Les produits de base sont les suivants:
Lieu d'origine:Baoji, en Chine
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Capacité à fournir:5000 pièces par mois
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Baoji Shaanxi China
Adresse: Le bâtiment 4, non.195, avenue Gaoxin, district de Weibin, ville de Baoji, province du Shaanxi, Chine
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Sensor HT HT-IQT-B Capteur de pression de silicium diffusé pour la mesure de haute température

Les produits de la catégorie 1 doivent être présentés dans la liste ci-dessous:PiezoresistantCapteur de pression au silicium

Introduction d'un capteur de pression en silicium diffusé:


Le capteur de pression en silicium HT-IQT-B est une sorte de diaphragme intégré. La pression a été transférée la puce sensible travers un diaphragme en acier inoxydable et une huile de silicone scellée.La puce de capteur convertit la pression en un signal électrique détectable en millivoltsAinsi, nous pouvons observer intuitivement la valeur de pression du milieu mesuré. Ce produit adopte une structure de diaphragme de plaque, avec dissipateur de chaleur haute température,l'effet de mesure du milieu haute température est bon. Le diaphragme plat nu est facile nettoyer et a un bon effet sur la mesure des supports visqueux.Appliqué aux industries alimentaire, sanitaire et autres.



Performance électriqued'une épaisseur d'environ 50 mm,:
  1. L'alimentation électrique: ≤ 2 mA CC (0,4-1,5 mA CC).
  2. Impédance d'entrée: 2,5 KΩ 6 KΩ.
  3. Impédance de sortie: 2,5 KΩ 6 KΩ.
  4. Connexion électrique: broches Kovar plaquées en or ou cbles haute température de 100 mm.
Paramètres de performanced'une épaisseur d'environ 50 mm,:
Plage de mesureÉpaisseur (G)35KPa, 100KPa, 200KPa, 350KPa, 1000KPa et 2000Kpa
Absolute (A)Les émissions de gaz effet de serre sont calculées en fonction de la fréquence d'émission.
SélectionnéPour les appareils combustion
Le typeJe suis désolé.Unité
Non-linéarité± 0.15± 0.3% F.S.
Répétabilité0.050.1% F.S.
Hystérésis0.050.1% F.S.
Débit de compensation nul0 ± 10 ± 2MV
Produit grande échelle≤ 20 KPa50 ± 1050 ± 30MV
≥ 35 kPa100 ± 10100 ± 30MV
Température de décalage zéro.≤ 20 KPa± 1±2% F.S.
≥ 35 kPa± 0.5± 1% F.S.
Température pleine échelle.≤ 20 KPa± 1±2% F.S.
≥ 35 kPa± 0.5± 1% F.S.
Temps compensé.≤ 20 KPa0 50oC
≥ 35 kPa0 70oC
Température de fonctionnement- 20 80oC
Température de stockage-40 125oC
Pression de rupture5 fois la taille totale
Stabilité long terme0.2 %F.S./année
Matériau du diaphragmeautres
Résistance l'isolationPour les appareils courant alternatif
Le choc100 g, 11 ms
Temps de réponse≤ 1 ms
Sceau de l'anneau ODéchets d'acier ou d'acier
Remplissage du milieuHuile de silicium
Le poids- 220 g
Les paramètres sont testés dans les conditions suivantes: 1,5 mA @ 25°C
Construction du schéma
Dimension



Connexion électrique et compensation

Exemples de sélection
Conseils pour commander
1. Faites attention l'ajustement entre la taille du noyau et le boîtier de l'émetteur pendant l'assemblage pour atteindre lel'étanchéité requise.
2Lors de l'assemblage du boîtier, assurez-vous qu'il est aligné verticalement et appliquez une pression uniforme pour éviter que la plaque de compensation ne soit bloquée ou endommagée.
3Si le support de mesure n'est pas compatible avec le diaphragme du noyau et le matériau du boîtier (316L), des instructions spéciales doivent être fournies lors de la commande.
4Évitez de presser le diaphragme du capteur avec des mains ou des objets tranchants pour éviter des dommages au noyau dus une déformation ou un perçage du diaphragme.
5. Gardez le port de pression du noyau de la jauge de pression ouvert l'atmosphère et empêchez l'entrée d'eau, de vapeur d'eau ou de matières corrosives dans la chambre de pression négative du noyau.
6Si des modifications sont apportées aux cbles des broches, suivez l'étiquette sur le noyau pour référence.

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Sensor HT HT-IQT-B Capteur de pression de silicium diffusé pour la mesure de haute température

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