IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds - rftransistors

IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds

Numéro de modèle:IXFN38N100Q2
Lieu d'origine:États-Unis
Quantité minimale de commande:1 pièces
Conditions de paiement:T/T, Western Union
Capacité à fournir:1500pcs
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen Guangdong China
Adresse: Chambre 1205-1207, bâtiment Nanguang, rue Huafu, district de Futian, Shenzhen, Guangdong, Chine
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IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds

IXYS
Catégorie de produit:Modules semi-conducteurs discrets
Pour les véhicules moteur:Détails
Modules MOSFET de puissance
Je sais.
- 30 V, + 30 V
Montage du chssis
Le code de conduite est le code SOT-227-4.
- 55 °C
+ 150 °C
Pour les véhicules moteur électrique
Tuyaux
Marque:IXYS
La configuration:Unique
Temps d'automne:15 ns
La hauteur:9.6 mm
Id - Courant de vidange continu:38 A
Longueur:38.23 mm
Nombre de chaînes:1ère chaîne
Pd - Dissipation de puissance:890 W
Type de produit:Modules semi-conducteurs discrets
Rds On - Résistance la source de drainage:250 mOhms
Heure de montée:28 ns
Subcatégorie:Modules semi-conducteurs discrets
Nom commercial:HiPerFET
Polarité du transistor:N-canal
Temps de retard typique pour l'arrêt:57 ns
Temps de retard typique d'allumage:25 ns
Vds - Voltage de rupture de la source de vidange:1 kV
Largeur:25.42 mm
Poids unitaire:1.058219 once



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IXFN38N100Q2 Modules de semi-conducteurs discrets 38 Ampères 1000V 0,25 Rds

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