ZXTN25100BFHTA Transistors bipolaires (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistors RF de 1,25 W
Numéro de modèle:Pour les appareils de type "A"
Lieu d'origine:États-Unis
Quantité minimale de commande:1 PCS
Conditions de paiement:T/T, Western Union
Capacité à fournir:5000
Délai de livraison:1 jour
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Shenzhen Guangdong China
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Chambre 1205-1207, bâtiment Nanguang, rue Huafu, district de Futian, Shenzhen, Guangdong, Chine
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Détails du produit
ZXTN25100BFHTA Transistor bipolaire (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz 1,25
W Monture de surface
| Diodes incorporées | |
| Catégorie de produit: | Transistors bipolaires - BJT |
| Pour les véhicules moteur: | Détails |
| DSM/SMT | |
| Le SOT-23-3 | |
| NPN | |
| Unique | |
| Pour les appareils électroniques | |
| Unité de régulation | |
| 7 V | |
| 200 mV | |
| 3 A | |
| 1.81 W | |
| 160 MHz | |
| - 55 °C | |
| + 150 °C | |
| Pour les appareils de surveillance | |
| Le rouleau | |
| Couper la bande | |
| MouseReel | |
| Marque: | Diodes incorporées |
| La hauteur: | 1 mm |
| Longueur: | 30,05 mm |
| Type de produit: | BJT - Transistors bipolaires |
| Subcatégorie: | Transistors et appareils électroniques |
| Technologie: | Je sais. |
| Largeur: | 1.4 mm |
| Poids unitaire: | 0.000282 oz |
Statut du produit | Actif |
Type de transistor | |
Courant - collecteur (Ic) (maximum) | 3 A |
Voltage - Décomposition de l'émetteur du collecteur (max) | Pour les appareils électroniques |
Vce saturation (max) @ Ib, Ic | Pour les appareils de commande électronique, le régulateur de
tension doit être utilisé. |
Courant - Coupe du collecteur (maximum) | Le nombre d'émissions de CO2 est déterminé par la fréquence
d'émission de CO2. |
Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce | 100 @ 10 mA, 2 V |
Puissance maximale | 1.25 W |
Fréquence - Transition | 160 MHz |
Température de fonctionnement | -55°C 150°C (TJ) |
Type de montage | Monture de surface |
Emballage / boîtier | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Il est interdit d'utiliser le produit. |
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le SOT-23-3 |
Caractéristiques
Le débit d'électricité doit être supérieur 100 V.
Le système de freinage doit être équipé d'un dispositif de freinage
de freinage de freinage de freinage.
BVEco > 6V Voltage de blocage inverse
Ic = 3A de courant continu élevé dans le collecteur
La tension de saturation basse, VCE(SAT) est inférieure 80mV @1A
RCE ((SAT) = 67mQ pour une faible résistance équivalente
1Dissipation de puissance de 25 W
hFE Spécifié jusqu' 3A pour le freinage des gains de courant
Type de PNP complémentaire: ZXTP25100BFH
Totalement exempt de plomb et entièrement conforme la directive
RoHS (notes 1 et 2)
Dispositif exempt d'halogène et d'antimonyme (note 3)
Qualifié selon les normes AEC-Q101 pour la haute résilience
Données mécaniques
Le cas: SOT23
Matériau du boîtier: plastique moulé, composé moulé "vert";
Classification UL de la flammabilité 94V-0
Sensitivité l'humidité: niveau 1 par J-STD-020
Terminals: Finition - Plomb mat plaqué d'étain, soudable par
Le produit doit être présenté l'autorité compétente.
Poids 0,008 grammes (environ)
Applications
●Rélecteurs de lampes et solénoïdes
●Transition générale dans les applications automobiles et
industrielles
●Action et contrôle du moteur
- Type: Transistor jonction bipolaire NPN (négatif-positif-négatif)
- Tension nominale: 100 V (tension maximale collecteur-émetteur)
- Courant nominal: 3 A (courant maximal du collecteur)
- Fréquence: 160 MHz (fréquence maximale laquelle il peut fonctionner efficacement)
- Dissipation de puissance: 1,25 W (puissance maximale qui peut être dissipée par le transistor)
- Type d'emballage: Emballage montage de surface (SMT), qui est un type d'emballage qui permet
- pour le montage sur la surface d'une carte de circuit imprimé (PCB) sans nécessiter de soudure par trou.
ZXTN25100BFHTA Transistors bipolaires (BJT) NPN 100 V 3 A 160MHz Transistors RF de 1,25 W
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