2SA1943-O ((Q) Bipolaire (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W à travers le trou TO-3P ((L)

Numéro de modèle:2SA1943-O ((Q)
Lieu d'origine:LE JP
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2SA1943-O(Q) Transistor bipolaire (BJT) PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W travers le trou

Toshiba
Catégorie de produit:Transistors bipolaires - BJT
Pour les véhicules moteur:Détails
travers le trou
Pour TO-3P-3
PNP
Unique
230 V
230 V
5 V
1.5 V
15 A
150 W
30 MHz
-
+ 150 °C
2SA
Plateau
Marque:Toshiba
Courant continu du collecteur:- 15 A
Le collecteur de courant continu/gain de base hfe Min:55
Gain de courant continu hFE max:160
La hauteur:26 mm
Longueur:20.5 mm
Type de produit:BJT - Transistors bipolaires
Subcatégorie:Transistors et appareils électroniques
Technologie:Je sais.
Largeur:5.2 mm
Poids unitaire:0.238311 once

Applications des amplificateurs de puissance

• Voltage élevé du collecteur: VCEO=-230 V (min)
• complémentaire 2SC5200
• Recommandé pour le stade de sortie de l'amplificateur de fréquence audio haute fidélité de 100 W.



Les spécifications

  • Fabricant: Toshiba
  • Type de transistor: NPN
  • Type de colis: TO-3PL
  • Dissipation de puissance maximale: 150 W
  • Voltage de l'émetteur du collecteur (VCEO): 230 V
  • Courant maximal du collecteur: 15A
  • Le gain de courant continu (hFE) (min) @ Ic, Vce: 55 @ 1A, 5V
  • Fréquence: 30 MHz
  • Type de montage: par trou
  • Température de fonctionnement: 150°C TJ
  • Statut de la partie: obsolète




China 2SA1943-O ((Q) Bipolaire (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W à travers le trou TO-3P ((L) supplier

2SA1943-O ((Q) Bipolaire (BJT) Transistor PNP 230 V 15 A 30 MHz 150 W à travers le trou TO-3P ((L)

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