Plateau de gravure Consommables de semi-conducteurs en céramique au carbure de silicium sintré

Lieu d'origine:Henan, Chine
Quantité minimale de commande:Une seule pièce
Capacité à fournir:50000 morceaux par mois
Délai de livraison:7 à 10 jours
Détails de l'emballage:Forfait standard pour l'exportation
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Hainan Hainan China
Adresse: Chambre 701-702, bâtiment Dihao, Pearl River Plaza, ville d'Haikou, province du Hainan, Chine
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Plateau de gravure Les consommables semi-conducteurs

 

Principales caractéristiques

Le plateau de gravure est fabriqué en céramique de carbure de silicium sintré de haute pureté sans pression. Il présente les caractéristiques de haute dureté, résistance la corrosion, résistance l'usure, longue durée de vie,haute précision et bonne homogénéité de gravure de la couche d'épitaxie de la gaufre.

 

Application du projet

Le procédé de gravure ICP de matériaux film épitaxial ((GaN, SiO 2, etc.) pour les puces de gaufres LED, les pièces céramiques de précision pour la diffusion des semi-conducteurs et le procédé d'épitaxie MOCVD pour les gaufres semi-conducteurs.

 

Les spécifications:

L'écart de diamètre est de 50 500 mm. L'épaisseur est de 3 20 mm. Des spécifications sur mesure sont disponibles.

 

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Plateau de gravure Consommables de semi-conducteurs en céramique au carbure de silicium sintré

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