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Lumière élevée: Composants électroniques / Circuits intégrés / Puce IC
Le type | Définition | Sélectionnez |
---|---|---|
Catégorie | ||
Mfr | ||
Série | ||
Le paquet | Tape et bobine (TR) | |
Statut du produit | Actif | |
Type de FET | ||
Technologie | MOSFET (oxyde de métal) | |
Voltage d'évacuation la source (Vdss) | ||
Courant - écoulement continu (Id) @ 25°C | ||
Voltage du moteur (max Rds activé, min Rds activé) | 4.5V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | Pour les appareils de traitement des gaz: | |
Vgs(th) (maximum) @ Id | 2.7V @ 250 μA | |
Charge de la porte (Qg) (max) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
Vgs (maximum) | ± 20 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (max) @ Vds | 1260 pF @ 20 V | |
Caractéristique FET | - | |
Dissipation de puissance (max) | 15 W (Tc) | |
Température de fonctionnement | -55°C 175°C (TJ) | |
Type de montage | ||
Paquet de dispositifs fournis par le fournisseur | Le nombre d'équipements utilisés | |
Emballage / boîtier | ||
Numéro du produit de base |
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