CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Les technologies Infineon
Numéro de modèle:CY7C2663KV18-450BZI
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Shenzhen China
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No. 2520, 25ème étage, bloc A, nouvelle Asie Guoli Building, rue du nord de Huaqiang, Shenzhen, Chine
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Description fonctionnelle
Le CY7C266 est un 8192 mots de haute performance par 8 bits CMOS PROM. Lorsqu'il est désactivé, le CY7C266 démarre automatiquement en mode veille faible consommation d'énergie.Les paquets reprogrammables sont équipés d'une fenêtre d'effacementLes cellules de mémoire utilisent une technologie EPROM porte flottante éprouvée et des algorithmes de programmation intelligents l'échelle de l'octet.Caractéristiques
• CMOS pour une vitesse/puissance optimale• fenêtres pour la reprogrammation
• Haute vitesse
¥ 20 ns (commercial)
• Faible consommation
¥ 660 mW (commercial)
• Puissance en veille extrêmement faible
¢ inférieur 85 mW lorsque la sélection est désactivée
• Technologie EPROM 100% programmable
• 5V ± 10% VCC, commerciaux et militaires
• E/S compatibles avec le TTL
• Remplacement direct des EPROM 27C64
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Cypress Semiconductor |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | Pour les appareils commande numérique: |
| Le type | Synchrone |
| Emballage | Plateau |
| Mode de montage | DSM/SMT |
| Boîtier de colis | 165-LBGA |
| Température de fonctionnement | -40°C 85°C (TA) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 10,7 V 1,9 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Le nombre d'équipements utilisés est le suivant: |
| Capacité de mémoire | 144M (8M x 18) |
| Type de mémoire | La valeur de l'échantillon doit être supérieure ou égale la valeur de l'échantillon. |
| Vitesse | 450 MHz |
| Temps d'accès | 0.45 ns |
| Format-mémoire | La RAM |
| Température de fonctionnement maximale | + 85 C |
| Plage de température de fonctionnement | - Quarante degrés. |
| Type d'interface | Parallèlement |
| Organisation du projet | 8 M x 18 |
| Le courant d'approvisionnement maximal | 940 mA |
| Voltage d'alimentation maximal | 1.9 V |
| Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme la norme ISO 7638:2003. | 1.7 V |
| Boîtier de colis | Le numéro de série |
| Fréquence d'horloge maximale | 450 MHz |
Décrits
SRAM - mémoire IC QDR II+ synchrone de 144 Mb (8M x 18) parallèle
450 MHz 165-FBGA (15x17)
SRAM Chip Sync Double 1.8V 144M-Bit 8M x 18 0.45ns 165-Pin plateau
FBGA
SRAM 144Mb 1,8V 450Mhz 8M x 18 QDR II SRAM
CY7C2663KV18-450BZI IC SRAM 144MBIT PAR 165FBGA Les technologies Infineon
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