MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR IC FLASH 1GBIT PARALLEL 48TSOP I Micron Technology Inc. L'équipement est fourni par les équipementiers de l'équipementier et par les équipementiers de l'équipementier.

Description générale

Les périphériques Flash Micron NAND comprennent une interface de données asynchrone pour des opérations d'E/S de haute performance.Il y a cinq signaux de commande utilisés pour mettre en uvre l'interface de données asynchrone: CE#, CLE, ALE, WE# et RE#. Des signaux supplémentaires contrôlent la protection contre l'écriture matérielle et surveillent l'état de l'appareil (R/B#).
Cette interface matérielle crée un périphérique faible nombre de broches avec une broche standard qui reste la même d'une densité l'autre, permettant de futures mises niveau vers des liaisons de plus grande densité sans refonte de la carte.
Une cible est l'unité de mémoire laquelle accède un signal d'activation de puce.Une matrice NAND Flash est l'unité minimale qui peut exécuter indépendamment des commandes et rendre compte de l'état. Une matrice NAND Flash, dans la spécification ONFI, est appelée unité logique (LUN). Il y a au moins une matrice NAND Flash par signal d'activation de puce. Pour plus de détails,voir Organisation des appareils et des tableaux.
Ce dispositif dispose d'un ECC interne de 4 bits qui peut être activé l'aide des fonctionnalités GET/SET.
Pour plus d'informations, voir la carte interne des ECC et la carte des zones de réserve des ECC.

Caractéristiques

• Open NAND Flash Interface (ONFI) 1.0 conforme1
• Technologie des cellules un seul niveau (SLC)
• organisation
La taille de la page x8: 2112 octets (2048 + 64 octets)
️ Taille de page x16: 1056 mots (1024 + 32 mots)
Taille du bloc: 64 pages (128K + 4K bytes)
Taille de l'avion: 2 avions x 2048 blocs par avion
La taille de l'appareil: 4 Go: 4096 blocs; 8 Go: 8192 blocs 16 Go: 16 384 blocs
• Performance d'E/S asynchrone
¢ tRC/tWC: 20 ns (3,3 V), 25 ns (1,8 V)
• Performance du tableau
Lecture de la page: 25 μs 3
¢ Page du programme: 200 μs (type: 1,8 V, 3,3 V) 3
¢ Bloc d'effacement: 700 μs (TYP)
• Ensemble de commandes: protocole ONFI NAND Flash
• Un ensemble de commandes avancées
Mode de mise en cache de la page du programme4
Le mode de lecture du cache de page 4
– One-time programmable (OTP) mode
Commandes deux plans 4
¢ Opérations de matériau feuilles intercalées (LUN)
Lire l'ID unique
️ Blocage de blocage (seulement 1,8 V)
¢ Déplacement des données internes
• Le byte d'état d'opération fournit une méthode logicielle pour détecter
L'opération est achevée
Condition de réussite/échec
Le statut de protection contre l'écriture
• Le signal Ready/Busy# (R/B#) fournit une méthode matérielle de détection de la fin de l'opération
• Signal WP#: Écrire pour protéger tout l'appareil
• Le premier bloc (adresse de bloc 00h) est valable lorsqu'il est expédié depuis l'usine avec ECC.
• Le bloc 0 nécessite un ECC de 1 bit si les cycles de PROGRAM/ERASE sont inférieurs 1000
• RÉSET (FFh) requis comme première commande après mise en marche
• Méthode alternative d'initialisation de l'appareil (Nand_In it) après mise sous tension (usine de contact)
• Opérations de déplacement de données internes prises en charge dans le plan partir duquel les données sont lues
• Qualité et fiabilité
Réservation des données: 10 ans
- Durée de vie: 100 000 cycles de programme/effacement
• Plage de tension de fonctionnement
¢ VCC: 2,7 ¢ 3,6 V
‡ VCC: 1,7 ‡ 1,95 V
• Température de fonctionnement:
Pour les produits commerciaux: 0°C +70°C
️ Industrie (IT): ️40°C +85°C
• Forfait
️ TSP de type 1, CPL2 48 broches
¢ VFBGA 63 balles