W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Électronique Winbond - integratedcircuit-ic

W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Électronique Winbond

Numéro de modèle:Le code de conduite est le W631GG8KB-11
Quantité minimale de commande:1
Conditions de paiement:T/T
Capacité à fournir:En stock
Délai de livraison:3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage:sacs antistatiques et boîtes en carton
Contacter

Add to Cart

Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse: No. 2520, 25ème étage, bloc A, nouvelle Asie Guoli Building, rue du nord de Huaqiang, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 26 heures
Détails du produit Profil de la société
Détails du produit

Détails du produit


Définition générale

Le W631GG6KB est une mémoire SD-RAM DDR3 de 1G bits, organisée en 8,388,608 mots x 8 banques x 16 bits. Cet appareil atteint des taux de transfert haute vitesse allant jusqu' 1866 Mb/sec/pin (DDR3-1866) pour diverses applications.- 12 ansLes vitesses de -11 sont conformes la spécification DDR3-1866 (13-13-13).Les catégories de vitesses 12A et 12K sont conformes la spécification DDR3-1600 (11-11-11) (la catégorie industrielle 12I qui est garantie pour supporter -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C)Les vitesses -15, 15I, 15A et 15K sont conformes la spécification DDR3-1333 (9-9-9) (la vitesse industrielle 15I qui est garantie pour supporter -40°C ≤ TCASE ≤ 95°C).

Caractéristiques

Le système d'alimentation doit être équipé d'une alimentation électrique: VDD, VDDQ = 1,5 V ± 0,075 V
L'architecture du double débit de données: deux transferts de données par cycle d'horloge
8 banques internes pour une opération simultanée
L'architecture de précommande de 8 bits
CAS latence: 6, 7, 8, 9, 10, 11 et 13
Les modes de longueur de rafale 8 (BL8) et de rafale 4 (BC4) sont fixés par le biais d'un registre de mode (MRS) ou sélectionnables la volée (OTF).
¢ Ordonnance de lecture par rafale programmable: séquentielle entrelacée ou mordue
Les données sont transmises/reçues avec des strobes bidirectionnelles et différentielles (DQS et DQS#)
L'alignement de bord avec les données de lecture et l'alignement du centre avec les données d'écriture
DLL aligne les transitions DQ et DQS avec l'horloge
¢ Les entrées différentielles de l'horloge (CK et CK#)
Les commandes entrées sur chaque bord CK positif, les données et le masque de données sont référencées sur les deux bords d'une paire de stroboscope différentielle (double débit de données)
- CAS affiché avec latence additive programmable (AL = 0, CL - 1 et CL - 2) pour une meilleure efficacité des bus de commande, d'adresse et de données
La fréquence de lecture est la fréquence additive plus la fréquence CAS (RL = AL + CL).
- fonctionnement de précharge automatique pour les rafales de lecture et d'écriture
Réinitialiser, auto-réinitialiser, auto-réinitialiser (ASR) et auto-réinitialiser partiellement le tableau (PASR)
Éteindre le courant préchargé et éteindre le courant actif

Les spécifications

AttributValeur attribuée
Produit de fabricationÉlectronique Winbond
Catégorie de produitsCircuits intégrés mémoire
Série-
EmballageEmballage de remplacement de plateau
Boîtier de colisPour les appareils de traitement de l'air
Température de fonctionnement0°C 95°C (TC)
InterfaceParallèlement
Appareil de régulation de la tension1.425 V 1,575 V
Produit fourni par le fournisseurPour les appareils commande numérique
Capacité de mémoire1G (128M x 8)
Type de mémoireLa mémoire SDRAM DDR3
Vitesse933 MHz
Format-mémoireLa RAM

Décrits

SDRAM - mémoire DDR3 IC 1Gb (128M x 8) parallèle 933MHz 20ns 78-WBGA (10.5x8)
La carte SDRAM est une carte SDRAM de type DDR3 SDRAM 1Gbit 128Mx8 1.5V 78 pin WBGA
China W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Électronique Winbond supplier

W631GG8KB-11 IC DRAM 1GBIT PAR 78WBGA Électronique Winbond

Inquiry Cart 0