IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
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Définition
The IS66_ series are optically coupled isolators consisting of infrared light emitting diode and a high voltage NPN silicon photo darlington which has an integral base-emitter resistor to optimise switching speed and elevated temperature characteristics in a standard 6pin dual in line plastic package.Caractéristiques
• Options :-10 mm de plomb - ajouter un G après le numéro de pièce.
Montage de surface - ajouter SM après le numéro de pièce.
Tape&reel - ajouter SMT&R après la partie no.
• Voltage d'isolation élevé (5,3 kVRMS),7.5kVPK)
• Rapport de transfert de courant élevé (1000% min)
• VECO élevé (400 V min. - IS662)
Pour les appareils commande numérique
Pour les appareils commande numérique
Applications
• Modems• Copieurs, télécopieurs
• Machines commande numérique
• Transmission de signaux entre systèmes de potentiels et d'impédances différents
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Le secteur privé |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | - |
| Emballage | Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR) |
| Boîtier de colis | Le nombre d'équipements utilisés |
| Température de fonctionnement | -40°C 85°C (TA) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 10,7 V 1,95 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Le système de réglage de la fréquence de l'appareil doit être conforme aux prescriptions du présent règlement. |
| Capacité de mémoire | 32M (2M x 16) |
| Type de mémoire | Les données de référence sont fournies l'autorité compétente. |
| Vitesse | 70 ans |
| Format-mémoire | La RAM |
Décrits
PSRAM (pseudo SRAM) mémoire IC 32 Mb (2M x 16) parallèle 70ns
54-VFBGA (6x8)
IS66WVC2M16EALL-7010BLI-TR IC PSRAM 32MBIT PARALLEL 54VFBGA ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
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