AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire.

Numéro de modèle:AS4C2M32SA-6TCN
Quantité minimale de commande:1
Conditions de paiement:T/T
Capacité à fournir:En stock
Délai de livraison:3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage:sacs antistatiques et boîtes en carton
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Fournisseur Vérifié
Shenzhen China
Adresse: No. 2520, 25ème étage, bloc A, nouvelle Asie Guoli Building, rue du nord de Huaqiang, Shenzhen, Chine
dernière connexion fois fournisseur: dans 26 heures
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Description fonctionnelle

L'AS4C256K16E0 est une mémoire accès aléatoire dynamique CMOS (DRAM) de 4 mégaoctets de haute performance organisée en 262 144 mots par 16 bits.L'AS4C256K16E0 est fabriqué avec une technologie CMOS avancée et conçu avec des techniques de conception innovantes résultant en des vitesses élevées, une puissance extrêmement faible et de larges marges de fonctionnement au niveau des composants et des systèmes.

Caractéristiques

• Organisation: 262 144 mots × 16 bits
• Haute vitesse
- 30/35/50 ns de temps d'accès au RAS
- 16/18/25 ns temps d'accès l'adresse de colonne
- 7/10/10/10 ns Temps d'accès au CAS
• Faible consommation électrique
- Actif: 500 mW maximum (AS4C256K16E0-25)
- en veille: 3,6 mW maximum, I/O CMOS (AS4C256K16E0-25)
• Mode page EDO
• Régénérez- vous
- 512 cycles de mise jour, intervalle de mise jour de 8 ms
- RAS uniquement ou CAS avant RAS - rafraîchissement ou auto rafraîchissement
L'option de mise jour automatique est disponible uniquement pour les appareils de nouvelle génération.
• Lire-modifier-écrire
• compatibles avec TTL, I/O trois états
• les paquets standard de la JEDEC
- 400 mil, 40 broches de SOJ
- 400 mil, 40/44 épingles
• alimentation électrique 5V
• Courant de verrouillage > 200 mA

Les spécifications

AttributValeur attribuée
Produit de fabricationAlliance Memory, Inc. Elle est une entreprise de renommée mondiale.
Catégorie de produitsCircuits intégrés mémoire
Série-
EmballagePlateau
Boîtier de colisLa taille de l'échantillon doit être comprise entre 0,4 et 0,6 mm.
Température de fonctionnementPour les appareils de traitement des eaux usées:
InterfaceParallèlement
Appareil de régulation de la tension3 V 3,6 V
Produit fourni par le fournisseur86-TSOP II
Capacité de mémoire64 M (2 M x 32)
Type de mémoireSDRAM
Vitesse166 MHz
Format-mémoireLa RAM

Décrits

Mémoire SDRAM IC 64 Mb (2M x 32) parallèle 166MHz 5,5ns 86-TSOP II
Une carte SD-RAM, 64M,3.3V 166MHz, 2M x 32
China AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire. supplier

AS4C2M32SA-6TCN IC DRAM 64MBIT PAR 86TSOP II Alliance Memory, Inc. Il est fourni par le fournisseur de la mémoire.

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