Description fonctionnelle
L'AS4C256K16E0 est une mémoire accès aléatoire dynamique CMOS
(DRAM) de 4 mégaoctets de haute performance organisée en 262 144
mots par 16 bits.L'AS4C256K16E0 est fabriqué avec une technologie
CMOS avancée et conçu avec des techniques de conception innovantes
résultant en des vitesses élevées, une puissance extrêmement faible
et de larges marges de fonctionnement au niveau des composants et
des systèmes.
Caractéristiques
• Organisation: 262 144 mots × 16 bits
• Haute vitesse
- 30/35/50 ns de temps d'accès au RAS
- 16/18/25 ns temps d'accès l'adresse de colonne
- 7/10/10/10 ns Temps d'accès au CAS
• Faible consommation électrique
- Actif: 500 mW maximum (AS4C256K16E0-25)
- en veille: 3,6 mW maximum, I/O CMOS (AS4C256K16E0-25)
• Mode page EDO
• Régénérez- vous
- 512 cycles de mise jour, intervalle de mise jour de 8 ms
- RAS uniquement ou CAS avant RAS - rafraîchissement ou auto
rafraîchissement
L'option de mise jour automatique est disponible uniquement pour
les appareils de nouvelle génération.
• Lire-modifier-écrire
• compatibles avec TTL, I/O trois états
• les paquets standard de la JEDEC
- 400 mil, 40 broches de SOJ
- 400 mil, 40/44 épingles
• alimentation électrique 5V
• Courant de verrouillage > 200 mA