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Numéro de modèle:Pour les produits présentant une teneur en dioxyde de carbone supérieure à 50%
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Capacité à fournir:En stock
Délai de livraison:3 à 5 jours ouvrables
Détails de l'emballage:sacs antistatiques et boîtes en carton
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Shenzhen China
Adresse:
No. 2520, 25ème étage, bloc A, nouvelle Asie Guoli Building, rue du nord de Huaqiang, Shenzhen, Chine
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■ Caractéristiques
1- Circuit de déclenchement intégré.2. Haute sensibilité ((E V : MAX. 35rx Ta= 25 ̊C)
3. Une large gamme de tension d'alimentation
(VCC: 4,5 17 V)
4. Sortie compatible avec les LSTTL et TTL
5. Baisse de la puissance de sortie sous la lumière incident (IS485)
Résistance l'éclairage incident (IS486)
6- Un emballage compact
■ Applications
1. Disques durs2Copieurs, imprimantes et télécopieurs
3. les magnétoscopes, les cassettes
4. Machines vendre automatiques
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Le secteur privé |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | - |
| Emballage | Plateau |
| Boîtier de colis | 168-LBGA |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
| Interface | Résultats de l'enquête |
| Appareil de régulation de la tension | 1.28 V ~ 1.42 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Les pièces détachées ne doivent pas contenir de matériaux en acier. |
| Capacité de mémoire | 576M (32M x 18) |
| Type de mémoire | RLDRAM 3 |
| Vitesse | 0.93ns |
| Format-mémoire | La RAM |
| Partie du fabricant | Définition | Produit de fabrication | Comparer |
| Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité
supérieure. La mémoire | Les données sont stockées dans une zone de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de
lin. La mémoire | Les données sont stockées dans une zone de stockage de l'appareil. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de
lin. La mémoire | Les données sont stockées dans une zone de stockage de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Le nombre total d'unités utilisées pour les systèmes d'exploitation est estimé en fonction de l'utilisation de l'installation. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de
lin. La mémoire | Les données sont stockées dans une zone de stockage de l'appareil. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement. La mémoire | Les données sont stockées dans une zone de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les données sont fournies par les autorités compétentes. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de
lin. La mémoire | Les données sont stockées dans une zone de stockage de l'appareil. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'Union européenne. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'eau. La mémoire | Les données sont stockées dans une zone de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Le nombre total d'émissions de CO2 est estimé en fonction de la fréquence de l'émission de CO2. |
| Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité
supérieure. La mémoire | Les données sont stockées dans une zone de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin annuel de l'OMS. |
| Le produit doit être présenté dans un emballage de qualité
supérieure. La mémoire | Les données sont stockées dans une zone de stockage de l'appareil. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les résultats de l'enquête sont publiés dans le Bulletin de l'Union européenne. |
| Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'huile de
lin. La mémoire | Les données sont stockées dans une zone de stockage. | Solution intégrée au silicium Inc. | Les produits de l'industrie de l'assurance doivent être soumis des contrôles d'éthique. |
Décrits
Mémoire DRAM IC 576Mb (32M x 18) parallèle 1,066GHz 10ns 168-FC
((LF) BGA (13.5x13.5)
La carte DRAM est une puce RLDRAM3 576Mbit 32Mx18 1.35V 168-Pin
FBGA
DRAM RLDRAM3 mémoire, 576M I/O commun, 1066Mhz
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