MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALÈL 54VFBGA Micron Technology Inc.
Numéro de modèle:MT5A1M1M1M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M2M
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Détails de l'emballage:sacs antistatiques et boîtes en carton
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Shenzhen China
Adresse:
No. 2520, 25ème étage, bloc A, nouvelle Asie Guoli Building, rue du nord de Huaqiang, Shenzhen, Chine
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Détails du produit
SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE transistors qui sont équipés d'un système de transistors haute performance
Caractéristiques
* Basse résistance équivalente l'allumage; RCE (sat) 400mΩ 1A* 1 ampère de courant continu
* Ptot = 500 mW
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Micron Technology Inc. est une société de technologie. |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | - |
| Emballage | Tape découper (CT) |
| Boîtier de colis | Le nombre d'équipements utilisés |
| Température de fonctionnement | -30°C 85°C (TC) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 10,7 V 1,95 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Le système de contrôle de l'équipement doit être équipé d'un système de contrôle de l'équipement. |
| Capacité de mémoire | 16M (1M x 16) |
| Type de mémoire | Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la période de travail. |
| Vitesse | 70 ans |
| Format-mémoire | La RAM |
Décrits
PSRAM (pseudo SRAM) mémoire IC 16 Mb (1M x 16) parallèle 70ns
54-VFBGA (6x9)
MT45W1MW16BABB-706 WT TR IC PSRAM 16MBIT PARALÈL 54VFBGA Micron Technology Inc.
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