MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALÈL 48VFBGA Micron Technology Inc.
Numéro de modèle:MT5A1M1M1M2M2M2M2M2M2
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Détails de l'emballage:sacs antistatiques et boîtes en carton
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Shenzhen China
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No. 2520, 25ème étage, bloc A, nouvelle Asie Guoli Building, rue du nord de Huaqiang, Shenzhen, Chine
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SOT23 NPN SILICON PLANAR HIGH PERFORMANCE transistors qui sont équipés d'un système de transistors haute performance
Caractéristiques
* Basse résistance équivalente l'allumage; RCE (sat) 400mΩ 1A* 1 ampère de courant continu
* Ptot = 500 mW
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Micron Technology Inc. est une société de technologie. |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | - |
| Emballage | Plateau |
| Boîtier de colis | 48-VFBGA |
| Température de fonctionnement | -30°C 85°C (TC) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 10,7 V 1,95 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Pour les appareils de type VFBGA: |
| Capacité de mémoire | 16M (1M x 16) |
| Type de mémoire | Le nombre d'heures de travail est calculé en fonction de la période de travail. |
| Vitesse | 70 ans |
| Format-mémoire | La RAM |
Décrits
PSRAM (pseudo SRAM) mémoire IC de 16 Mb (1M x 16) parallèle 70 ns
48-VFBGA (6x8)
MT45W1MW16PABA-70 WT IC PSRAM 16MBIT PARALÈL 48VFBGA Micron Technology Inc.
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