TH58NVG3S0HTAI0 IC FLASH 8GBIT PARALLEL 48TSOP Je suis une entreprise américaine.

[Toshiba]

2GBIT (256M u 8BITS) CMOS et NAND E2PROM

Définition

Le TH58NVG1S3A est un seul 3,3-V 2G-bit (2,214,592, 512 bits) NAND Mémoire électriquement effaçable et programmable en lecture seule (NAND E2PROM) organisée en (2048 + 64) octets x 64 pages x 2048 blocs.L'appareil dispose d'un registre statique de 2112 octets qui permettent de transférer des données de programme et de lecture entre le registre et le tableau de cellules de mémoire en incréments de 2112 octetsL'opération Effacer est réalisée dans une seule unité de bloc (128 Kbytes + 4 Kbytes: 2112 octets x 64 pages).
Le TH58NVG1S3A est un périphérique de mémoire de type série qui utilise les broches d'E/S la fois pour l'adresse et l'entrée/sortie de données ainsi que pour les entrées de commandes.Les opérations d'effacement et de programmation sont automatiquement exécutées, ce qui rend l'appareil le plus approprié pour des applications telles que le stockage de fichiers l'état solide, l'enregistrement vocal, la mémoire de fichiers d'images pour appareils photo fixes et autres systèmes qui nécessitent un stockage de données en mémoire non volatile haute densité.

Caractéristiques

• organisation
La cellule de mémoire est de 2112 u 64K u 8 u 2
Enregistrement 2112 u 8
Taille de page 2112 octets
Taille du bloc (128K 4K) octets
• Les modes
Lire, réinitialiser, programme de page automatique
Effacement automatique du blocage, lecture du statut
• Contrôle du mode
Entrée/sortie en série
Contrôle de commandement
• alimentation VCC de 2,7 V 3,6 V
• Cycles de programmation/suppression 1E5 Cycles ((avec ECC)
• Temps d'accès
Matrice de cellules pour enregistrer 25 μs maximum
Cycle de lecture en série 50 ns min
• courant de fonctionnement
Lecture (50 ns cycle) 10 mA type.
Programme (en moyenne) 10 mA type
Effacement (en moyenne) 10 mA type.
En veille 50 μA maximum
• Forfait
Le poids est de 0,53 g typique.