IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
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Shenzhen China
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No. 2520, 25ème étage, bloc A, nouvelle Asie Guoli Building, rue du nord de Huaqiang, Shenzhen, Chine
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Définition
L'ISSIIS41LV16100B est 1,048,576 x 16 bits de haute performance CMOS Dynamic Random Access Memories. Ces appareils offrent un accès cycle accéléré appelé mode page EDO.024 accès aléatoires dans une seule ligne avec un temps de cycle d'accès aussi court que 20 ns par mot 16 bits.Caractéristiques
• Entrées et sorties compatibles TTL; E/S trois états• Intervalle de mise jour:
Mode de mise jour automatique: 1 024 cycles / 16 ms
¢ RAS uniquement, CAS avant RAS (CBR) et caché
• Le dessin standard de la JEDEC
• alimentation unique: 3,3 V ± 10%
• Opération d'écriture et de lecture par byte via deux CAS
• Plage de température industrielle: -40°C +85°C
• Disponible sans plomb
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Le secteur privé |
| Catégorie de produits | Les puces IC |
| Série | - |
| Emballage | Tuyaux |
| Boîtier de colis | 42-BSOJ (0,400" et 10,16 mm) |
| Température de fonctionnement | Pour les appareils de traitement des eaux usées: |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 3 V 3,6 V |
| Produit fourni par le fournisseur | 42-SOJ |
| Capacité de mémoire | 16M (1M x 16) |
| Type de mémoire | DRAM - EDO |
| Vitesse | 50 ans |
| Format-mémoire | La RAM |
Décrits
DRAM - mémoire EDO IC 16 Mb (1M x 16) parallèle 25ns 42-SOJ
IS41LV16100B-50KL IC DRAM 16MBIT PARALLEL 42SOJ ISSI, Solution intégrée au silicium inc.
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