71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.
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Shenzhen China
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No. 2520, 25ème étage, bloc A, nouvelle Asie Guoli Building, rue du nord de Huaqiang, Shenzhen, Chine
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Définition
L'IDT71V256SA est une RAM statique haute vitesse de 262 144 bits organisée en 32K x 8. Il est fabriqué l'aide de la technologie CMOS haute performance et haute fiabilité d'IDT.Caractéristiques
• Idéal pour le cache secondaire du processeur haute performance• Commercial (0° 70°C) et industriel (-40° 85°C)
options de température
• Temps d'accès rapide:
Commercial: 10/12/15/20ns
¢ industriel: 15 ans
• Faible courant de veille (maximum):
2mA en veille complète
• Petits emballages pour des aménagements moins encombrants:
️ 28 broches 300 ml de SOJ
- 28 broches 300 ml de DIP en plastique
• Fabriqué avec un système CMOS avancé de haute performance
La technologie
• Les entrées et les sorties sont compatibles avec LVTTL
• alimentation unique de 3,3 V (± 0,3 V)
Les spécifications
| Attribut | Valeur attribuée |
|---|---|
| Produit de fabrication | Systèmes de circuits intégrés |
| Catégorie de produits | Circuits intégrés mémoire |
| Série | Pour l'utilisation dans les appareils électroniques |
| Le type | Synchrone |
| Emballage | Emballages de remplacement en ruban adhésif et bobine (TR) |
| Unité de poids | 0.023175 oz |
| Mode de montage | DSM/SMT |
| Boîtier de colis | 100 LQFP |
| Température de fonctionnement | -40°C 85°C (TA) |
| Interface | Parallèlement |
| Appareil de régulation de la tension | 3.135 V ~ 3.465 V |
| Produit fourni par le fournisseur | Le nombre d'heures d'essai est le suivant: |
| Capacité de mémoire | 4.5M (128K x 36) |
| Type de mémoire | SRAM - synchrone |
| Vitesse | 166 MHz |
| Temps d'accès | 3.5 ns |
| Format-mémoire | La RAM |
| Température de fonctionnement maximale | + 70 °C |
| Plage de température de fonctionnement | 0 C |
| Type d'interface | Parallèlement |
| Organisation du projet | 128 k x 36 |
| Le courant d'approvisionnement maximal | 320 mA |
| Partie #-Alias | Le groupe de contrôle est composé de deux groupes de contrôle: |
| Voltage d'alimentation maximal | 3.465 V |
| Le système de régulation de la tension d'alimentation doit être conforme la norme ISO 7638:2003. | 3.135 V |
| Boîtier de colis | TQFP-100: |
| Fréquence d'horloge maximale | 166 MHz |
| Partie du fabricant | Définition | Produit de fabrication | Comparer |
| L'indicateur d'indice de performance doit être fourni
l'utilisateur. La mémoire | La RAM de cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de hauteur, plastique, TQFP-100 | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le résultat de l'analyse est le résultat d'une analyse de l'efficacité de l'analyse. |
| Les produits de base doivent être présentés dans un emballage de
qualité supérieure 100 g/m2. La mémoire | Le système d'exploitation de base est un système d'exploitation de base qui utilise des systèmes d'exploitation de base, y compris les systèmes d'exploitation de base. | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le produit doit être présenté sous forme d'une couche d'écoulement. |
| L'équipement doit être équipé d'un dispositif de détection. La mémoire | Le système d'exploitation de base est un système d'exploitation de base qui utilise des systèmes d'exploitation de base. | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le résultat de cette analyse est le résultat de l'analyse de l'efficacité de la technologie. |
| Le numéro d'immatriculation du véhicule est: La mémoire | TQFP-100, plateau | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le système de contrôle de l'équipement doit être conforme la réglementation en vigueur. |
| Le produit doit être présenté dans la boîte de vitesses. La mémoire | La RAM de cache SRAM, 128KX36, 3,5ns, CMOS, PQFP100, 14 X 20 MM, 1,40 MM de hauteur, plastique, TQFP-100 | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le résultat de cette analyse est le résultat d'une analyse de l'efficacité de l'énergie utilisée. |
| Le nombre d'émissions de CO2 est calculé en fonction de l'indice de
CO2 de l'installation. La mémoire | Le système d'exploitation de base est un système d'exploitation de base qui utilise des systèmes d'exploitation de base. | Technologie des appareils intégrés Inc. | Le nombre total d'émissions de dioxyde de carbone est estimé en fonction de la fréquence de production. |
Décrits
SRAM - mémoire synchrone IC 4,5 Mb (128K x 36) parallèle 166 MHz
3,5 ns 100-TQFP (14x20)
SRAM 128Kx36 SYNC 3,3 V SRAM décharge par tuyauterie
71V25761S166PFG8 IC SRAM 4.5MBIT PAR 100TQFP Renesas Electronics America Inc. Il est également utilisé pour les télécommunications.
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