Modules simples 1200V 150A FD150R12RT4HOSA1 SP000711858 de la configuration IGBT

FD150R12RT4HOSA1   SP000711858   Infineon    Module IGBT 1200V 150A d'IGBT

FD150R12RT4

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : Simple
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 1,2 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 2,15 V
Courant de collecteur continu 25 C : 150 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 100
dissipation puissance du palladium : 790 W
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Style d'installation : SMD/SMT
Série : Fossé/Fieldstop IGBT4
Quantité de emballage : 10 PCS
Sous-catégorie : IGBTs

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