module de la puissance élevée IGBT de 200A 1700V/FF200R17KE4HOSA1 SP000713374

FF200R17KE4HOSA1 SP000713374   Infineon    Puissance élevée du module 200A 1700V du module IGBT d'IGBT

FF200R17KE4

Fabricant : Infineon
Type de produit : Modules d'IGBT
Configuration : Double
Tension maximum VCEO de collecteur-émetteur : 1,7 kilovolts
Tension de saturation de collecteur-émetteur : 1,95 V
Courant de collecteur continu 25 C : 310 A
courant de fuite de Porte-émetteur : Na 100
dissipation puissance du palladium : W 1250
Paquet/boîte : 62 millimètres
La température fonctionnante minimum : - 40 C
La température fonctionnante maximum : + 150 C
Paquet : Plateau
Tension maximum de porte/émetteur : 20 V
Montage du style : Bti de chssis
Série : Trenchstop IGBT4 - E4
Quantité de emballage : 10 PCS
Sous-catégorie : IGBTs
Technologie : SI

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